北京
金融界2025年3月21日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“半导体器件”的专利，授权公告号CN 222638986 U，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件，包括：基层、缓冲层和第一栅极金属层；所述缓冲层与所述基层叠设；所述第一栅极金属层设于所述缓冲层的一侧，所述第一栅极金属层为TiAlN第一栅极金属层、TaAlN第一栅极金属层或WalN第一栅极金属层。上述的半导体器件，通过将第一栅极金属层设置为TiAlN第一栅极金属层、TaAlN第一栅极金属层或WalN第一栅极金属层，利用铝元素功函数较差的特点，降低组合物中铝元素的含量时，可对铝元素的功函数进行调节，进而提高栅极金属层的阈值电压，增大了半导体器件阈值电压的调控幅度，满足了宽范围驱动栅极电压的应用需求。
天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币，实缴资本320000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目39次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息224条，此外企业还拥有行政许可51个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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