北京
金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥昆仑芯星半导体有限公司申请一项名为“氮化镓外延结构制备方法”的专利，公开号 CN 119630017 A，申请日期为 2025 年 1 月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种氮化镓外延结构制备方法，应用于氮化镓 HEMT 器件，包括：提供临时衬底在所述临时衬底上形成缓冲层，在所述缓冲层上形成初始半导体层；在所述初始半导体层上形成金刚石晶种层，在所述金刚石晶种层上形成金刚石衬底；刻蚀去除所述临时衬底和所述缓冲层，以及刻蚀去除部分的所述初始半导体层以得到第一半导体层；倒置所述第一半导体层且在所述第一半导体层上沉积第二半导体层，以及在所述第二半导体层上形成外延功能层。本申请减少了相关技术中转移衬底法的蚀刻临时载体层步序，降低了氮化镓 HEMT 器件的制备成本，同时提高了氮化镓 HEMT 器件的散热效率。
天眼查资料显示，合肥昆仑芯星半导体有限公司，成立于2021年，位于合肥市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本569.152万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥昆仑芯星半导体有限公司共对外投资了1家企业，财产线索方面有商标信息3条，专利信息2条，此外企业还拥有行政许可5个。
本文源自金融界
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