北京
金融界2025年3月19日消息，国家知识产权局信息显示，厦门半导体工业技术研发有限公司申请一项名为“一种半导体集成电路器件及其制造方法”的专利，公开号CN 119630001 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种半导体集成电路器件及其制造方法，该半导体集成电路器件包括阻变层，以及分别位于阻变层两侧且相对的底电极和顶电极，其中，底电极包括由至少两种电极材料纵向交替形成的至少两层底电极层，不同电极材料形成的底电极层的横向尺寸不同；阻变层随型覆盖底电极的侧表面，顶电极随型覆盖阻变层的侧表面。由于阻变层覆盖在底电极的侧表面，可通过增加底电极堆叠层数的方式增大阻变区域的面积，从而有效降低导电细丝形成电压，垂直的阻变区域还可以有效避免阻变层的蚀刻损伤对半导体集成电路器件的性能影响，有利于提高器件的稳定性。
天眼查资料显示，厦门半导体工业技术研发有限公司，成立于2019年，位于厦门市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本40996万人民币，实缴资本40996万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门半导体工业技术研发有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息116条，此外企业还拥有行政许可6个。
本文源自金融界
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