北京
金融界2025年2月21日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、硅光器件”的专利，公开号CN 119493218 A，申请日期为2023年8月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法、硅光器件，半导体包括：衬底；介电层，位于所述衬底上；光波导叠层，掩埋于所述介电层中，所述光波导叠层包括第一光波导层、以及位于所述第一光波导层顶部的第二光波导层，所 述第二光波导层和第光波导层在纵向上相隔离所述第二光波导层的长度小于所述第一光波导层的长度。本发明通过设置叠层结构的光波导叠层，使得射入到所述第二光波导层中的光通过倏逝波最终耦合到所述第一光波导层中，因而降低了光信号耦合到衬底中及介电层中的概率，使更多的光耦合到所述第一光波导层中，以减少光信号的损耗，进而提高了耦合效率。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元，实缴资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目120次，知识产权方面有商标信息146条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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