北京
2月10日，英国《金融时报》刊文称，近年来，中国领先的存储芯片生产商长鑫存储在动态随机存取存储芯片（DRAM）领域飞速发展。多名分析人士预测，长鑫存储预计将出现“滚雪球式”增长，迅速抢占全球市场份额，继而威胁其韩国竞争对手三星、SK海力士在该领域的“主导地位”。
文章注意到，总部位于安徽合肥的长鑫存储发展迅速，目前正与中国人工智能公司DeepSeek联手，加强中国减少对人工智能等先进领域外国技术依赖的努力。
据深圳咨询公司前瞻的数据，在全球900亿美元的DRAM存储器市场中，长鑫存储的份额从2020年的接近零上升至去年的5%。DRAM主要用于服务器、计算机和移动设备。
同时，作为中国最大的DRAM生产商，长鑫存储还带领中国努力打入日益增长的高带宽内存（HBM）市场。HBM是运行ChatGPT 、DeepSeek等人工智能系统的关键组件。
据介绍，长鑫存储成立于2016年，当时中国几乎还不具备自主生产DRAM芯片的能力。但到了2019年，该公司已开始大规模生产LPDDR4芯片，这是当时最先进的DRAM内存产品类别。
咨询公司TechInsights 副主席丹·哈奇森表示，虽然长鑫存储的全球市场份额仍然相对较小，且主要集中在中国，但其在高度商品化的DRAM领域的快速发展正在产生“滚雪球效应”。
“你获得的市场份额越大，产量就会越大，收益率就会越高，继而降低生产成本。而这意味着，你的市场份额将继续扩大，”哈奇森解释说，“20世纪80年代和90年代，韩国人正是通过这种方式将日本人挤出了内存领域，而现在，历史正在重演。”
《金融时报》表示，长鑫存储的快速崛起，正在威胁韩国芯片制造商三星、SK 海力士及美国芯片制造商美光在该领域的传统主导地位。到2023年，这三家公司合计占据DRAM全球收入的96%。
总部位于日本的金融服务机构野村证券亚太区股票研究联席主管CW Chung表示：“随着长鑫存储的崛起，韩国芯片制造商正面临一个新的现实，即中国产品将占据低端市场。”他补充道：“这不是技术优势的问题，而是数量的问题，这意味着三星尤其受到供应过剩和芯片价格下跌的沉重打击。”
根据野村证券报告，长鑫存储还在积极提高其LPDDR4产量，将产能从2022年的每月7万片晶圆提高到 2024年底的预计每月20万片，这足以确保全球DRAM市场的15%的份额。这导致旧款DRAM芯片价格下跌，侵蚀了三星和SK海力士的利润率，并迫使这两家韩国公司退出低端市场。
上个月，三星表示，由于DRAM和Nand（闪存芯片）增长有限，该公司将减少对传统内存半导体的投资。SK海力士上个月承认，中企在DRAM领域的扩张，导致其去年第四季度营业利润略低于分析师预期。该公司的去年第四季度营业利润较第三季度下降了29%。
哈奇森称：“三星发现自己陷入了困境，一方面，高端市场正受到SK海力士和美光的挤压；另一方面，低端市场受到长鑫存储的挤压。”
《金融时报》还提到，半导体行业咨询公司SemiAnalysis称，去年，长鑫存储开始量产最先进的LPDDR5芯片。长鑫存储2023年首次推出了其最新的LPDDR5 DRAM存储芯片。
今年1月，加拿大咨询公司TechInsights的一名分析人士告诉彭博社，量产LPDDR5，意味着该公司“找到了设计和制造这种商业规模芯片的独特方法”。该人士称，他们原本预计长鑫存储要到2025年底或2026年初才能具备量产LPDDR5的能力。
香港《南华早报》当时援引分析称，尽管受到美国制裁，长鑫存储的进步仍为中国在DRAM内存芯片领域树立了标杆。这代表该公司突破了美国出口限制，缩小了与国际领先企业的技术差距。
本文源自：观察者网
作者：齐倩
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