北京
据韩国媒体最新报道，三星电子在第六代10纳米级1c DRAM制程的开发上遭遇了挑战，导致预计完成时间从原定的2024年年底推迟到了2025年6月。这一延期无疑给三星的产品计划带来了不小的影响，特别是原计划于2025年下半年量产的第六代高频宽存储器（HBM4）也因此面临了不确定性。
据了解，三星在2024年年底已经成功向市场交付了首个1c DRAM测试芯片，但后续的生产过程中良率并未达到预期水平，这是导致开发时间延长的主要原因。市场人士透露，三星目前正致力于在未来六个月内将良率提升至约70%，以尽快推进量产进程。
通常情况下，每一代DRAM制程的开发周期约为18个月。然而，自2022年12月三星宣布开发出第五代10纳米级1b DRAM制程并量产以来，关于1c DRAM的进展一直较为低调，未有明确消息传出。
此次1c DRAM制程的延迟不仅影响了DDR5内存的量产计划，也对高频宽存储器（HBM）的开发造成了波及。如果1c DRAM的量产时间推迟至2025年底，那么HBM的量产时间也可能会相应延后至2025年之后，这与三星此前设定的目标相悖，进而可能削弱三星在HBM市场的竞争力。
韩国半导体产业人士表示，三星目前正在对1c DRAM制程技术的部分设计进行调整和优化，以尽快实现量产目标。然而，能否在预定时间内完成量产仍然存在不确定性。
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