北京
金融界2025年1月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请一项名为“一种金属栅极的形成方法”的专利，公开号 CN 119297079 A，申请日期为 2023 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：提供一基底，在基底上形成多个多晶硅伪栅，且相邻两个多晶硅伪栅之间具有间隔空间；在间隔空间内形成介质层，且介质层的上表面与多晶硅伪栅的上表面平齐；对介质层的远离基底的部分进行重离子注入，并形成掺杂有重离子的重离子掺杂层；去除多晶硅伪栅，使相邻两个重离子掺杂层之间形成栅极沟槽；在栅极沟槽形成金属栅极。形成金属栅极前，引入一道重离子注入工艺以形成重离子掺杂层，改变介质层的材质特性，重离子掺杂层相较于介质层的抗磨性较高，研磨速率较低，在研磨过程中不易产生蝶形缺陷，进而避免形成金属栅极的高度差异大，改善器件电性能的均一性。
天眼查资料显示，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1150000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司参与招投标项目64次，知识产权方面有商标信息14条，专利信息397条，此外企业还拥有行政许可201个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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