北京
金融界2025年1月15日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市大能创智半导体有限公司取得一项名为“一种电镀传输装置和电镀系统”的专利，授权公告号CN 222332107 U，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本实用新型实施例公开了一种电镀传输装置和电镀系统，包括：设置在第一电镀腔和第二电镀腔之间的传输桥面板；第一活动环，设置在传输桥和第电镀腔的连接处；第二活动环，设置在传输桥和第二电镀腔的连接处；传输桥面板两侧分别设置有第一防护面板和第二防护面板，第一防护面板设置有出水口，第二防护面板设置有进水口；当第一活动环打开时，待电镀晶圆从第一电镀腔中传输至传输桥面板；当第二活动环打开时，置于传输桥面板的待电镀晶圆传输至第二电镀腔。本实用新型实施例通过在第一电镀腔和第二电镀腔之间设置传输装置，能够避免晶圆在不同电镀阶段之间由于转移导致的填充空洞，也能够避免转移过程中的电镀溶液污染问题。
天眼查资料显示，深圳市大能创智半导体有限公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3235万人民币，实缴资本2610万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市大能创智半导体有限公司参与招投标项目2次，知识产权方面有商标信息1条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可8个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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