北京
金融界2025年1月14日消息，国家知识产权局信息显示，天津久日半导体材料有限公司申请一项名为“一种4-(4-乙酰基枯基)酚酯类化合物的高选择性制备方法”的专利，公开号CN 119285468 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请提出了一种4‑(4‑乙酰基枯基)酚酯类化合物的高选择性制备方法，具体包括以下步骤：A1、4‑枯基苯酚在含有第一酰化剂和缚酸剂碱的体系中进行预酰化反应，然后向体系中加入第一淬灭剂，完成预酰化反应，制备得到4‑枯基酚酯；A2、4‑枯基酚酯在含有第二酰化剂和酰化触媒的体系中进行傅克乙酰化反应，然后向体系中加入第二淬灭剂，完成傅克乙酰化反应，制备得到4‑(4‑乙酰基枯基)酚酯；其中，第一酰化剂的分子式为RCOCl或(RCO)2O，R为大位阻或/和强拉电子基团，R选自C9~C20取代芳基、C3~C10支链烃基或C1~C10全氟烃基；第二酰化剂为乙酰氯或乙酸酐。本申请的4‑(4‑乙酰基枯基)酚酯类化合物的高选择性制备方法，至少能够避免酯基邻位乙酰化副产物的生成，提高目标产品纯度。
天眼查资料显示，天津久日半导体材料有限公司，成立于2021年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币，实缴资本7720万人民币。通过天眼查大数据分析，天津久日半导体材料有限公司共对外投资了1家企业，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可7个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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