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金融界2025年1月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海凯世通半导体股份有限公司取得一项名为“离子束整流装置”的专利，授权公告号 CN 222233565 U，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，一种离子束整流装置，包括：真空腔室，所述真空腔体的体积较大，能够容纳一个或多个磁腔单元，且使得每个磁腔单元中的两个磁腔之间预先设置有让等离子束经过的整流通道，整流磁体设置在所述磁腔中，能够对从入射口进入磁腔之间的等离子束进行精确整流，优化其路径和形态；更重要的是，因为离子束整流装置的真空腔体具有较大的空间，还能够为其他辅助设备的安装提供充足的空间，使得离子束整流装置具有较强的功能性和应用灵活性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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