存储：AI影响加深，DRAM、NAND供需随动

高带宽内存（HBM）是2024年半导体领域的绝对热词。随着AI持续推动，2025年HBM大概率依旧霸榜。因为数据中心和AI处理器越来越多地依赖这种类型的存储器来处理庞大数据，缓解带宽压力。而激增的HBM需求也将影响2025年的DRAM市场供需，预计存储厂商将会优先生产HBM相关产品，而非传统型DRAM。此外随着AI应用的渗透，行业应用对大容量固态硬盘（SSD）的需求也在上升，QLC NAND技术的采用率增加，影响2025年的NAND市场供需生态。

中低端产能转向先进存储

NAND的产能利用率在2023年降至历史低位的20%～30%之后，在2024年初一度恢复到80%～90%，然而至2024年底，除去部分人工智能数据中心所需固态硬盘需求依然良好以外，通用NAND产品的需求再次降低。行业预测换机周期将推迟到2025年下半年，这促使终端企业将根据市场情况调整产能。目前，三星电子、SK海力士、美光和铠侠等主要NAND闪存企业都有降低NAND利用率和削减投资的消息传出。

根据报道称，三星正在考虑将其P4 NAND生产线的一部分产能转换为DRAM。三星设备解决方案（DS）副总裁KimJae-joon表示，公司正下调通用DRAM与NAND存储产品的产量，以符合逐渐下滑的市场需求。SK海力士也有消息称，可能将清州M14、M15X和M16工厂的部分NAND产能转用于生产HBM。铠侠方面消息显示，由于担心未来库存上升，铠侠减少第四季度NAND产量，避免产能过剩。但同时为应对生成性AI浪潮需求，铠侠将于2025年大规模生产第八代NAND设备，并准备投产最先进存储产品。

不过日前集邦咨询对先进制程产品的需求也提出预警，DDR5与LPDDR5X等先进制程产品的需求展望尚不明确。集邦咨询资深研究副总吴雅婷表示，先前受三大供应商积极建置HBM产能，加上预计新厂到2026年才会步入量产阶段等影响，TrendForce集邦咨询原本对于2025年DRAM价格走势看法偏乐观。然而，近期市场动态变化快速，使得集邦咨询对明年的价格预测进行调整，2025年DRAM价格将转为下跌，上半年的跌幅较明显，其中，DDR4和LPDDR4X的降价压力将持续大于DDR5与LPDDR5X。

AI市场热度依旧明确

尽管存储产品市场供需形势快速变化，但AI市场热度依然相对明确，这也使得存储企业加大在高性能HBM、大容量闪存产品上的研发投入。例如，在SK AI Summit 2024期间，SK海力士透露正在开发HBM3e 16hi产品，每颗HBM芯片容量为48GB，预计在2025年上半年送样。以往HBM供应商在各世代会推出两种不同堆栈层数的产品，如HBM3e原先设计8hi及12hi，HBM4世代规划12hi及16hi。SK海力士增加HBM3e 16hi规划，可在生产难度更高的HBM4 16hi量产前，提供客户低IO数、小晶粒尺寸和更高存储容量的选择。

按照三星的规划，其HBM4将在2025年下半年大规模生产。据台积电方披露，三星正与其联手合作开发下一代无缓冲（buffer-less）HBM4芯片。在HBM的设计上，三星原定采用7纳米工艺，新的规划将工艺提升至4纳米，以期在芯片性能和用电量方面表现更优秀。

美光也在着手开发HBM4，考虑采用包括混合键合(Hybrid Bonding) 在内等技术。美光预计将在2026年推出12和16层堆叠的HBM4，带宽超过1.5TB/s；到2027—2028年，还将发布12层和16层堆叠的HBM4E，带宽可达2TB/s以上。

在大容量闪存产品方面，日前SK海力士宣布，开发出业界首款321层 1TB TLC NAND闪存，将于2025年上半年开始供应。与上一代相比，321层NAND闪存的数据传输速度和读取性能分别提高12%和、13%，数据读取能效提高10%以上。SK海力士NAND闪存开发担当副社长崔正达表示：公司率先投入300层以上的NAND闪存量产，在攻占用于AI数据中心的固态硬盘、端侧AI等面向AI的存储市场方面占据了有利位置。

三星电子也宣布，半导体研究所成功完成突破性的400层NAND技术开发，且于11月将这项技术转移到平泽P1厂的量产线上，预计将于明年下半年开始量产。据悉，三星为400层NAND引入了“三重堆叠”技术。该技术可将存储单元堆叠成三层，为相关领域内的一次重大进步。

新型存储器市场逐步攀升

人工智能也推动了新型存储器的应用发展。近日，ObjectiveAnalysis和CoughlinAssociates发布报告显示，新型存储器已经开始增长，到2032年市场规模将攀升至约440亿美元。

当前较为成熟的新型存储技术路线主要有相变存储器（PCM）、磁变存储器（MRAM）、铁电存储器（FRAM），以及阻变存储器（RRAM）等。PCM通过相变材料相态的变化获得不同的电阻值，MRAM通过磁性材料中磁畴/自旋磁筹的方向变化改变电阻，FRAM利用“铁电”效应来存储数据，RRAM则利用阻变材料中导电通道的产生或关闭实现电阻变化。

由于RRAM独特的随机和电气特性， 基于RRAM的PUF（physical unclonable function物理不可克隆）技术能够为数据提供更强有力的保护，应用于安全存储等领域；此外，高能效、低功耗的RRAM具有丰富的开关动态，可以支持大规模集成、低功耗外围设备和用于构建类脑计算芯片和系统的特定应用架构等特点，使其在人工智能、存内计算和旨在模仿人脑的应用程序中具有显著优势，成为下一代内存的主要竞争者。

MRDIMM作为一种新型内存技术，也开始进入市场。由于数据中心对性能要求的日益严苛，传统内存技术在带宽、容量和延迟方面逐渐暴露出局限性，MRDIMM通过组合两个DDR5内存模块，可以双倍的数据速率向主机提供数据。例如，如果两个DDR5 DIMM各自运行在4400MT/s，通过MRDIMM技术整合后，输出的数据传输速率可达到8800MT/s。MRDIMM技术适用于内存密集型应用，如AI推理、模型再训练、高性能计算等。

今年7月美光开始送样MRDIMM模块，2025年开始批量出货。与HBM相比，HBM搭配CPU具有特定的应用领域，服务器产品的受众范围相对较窄，MRDIMM搭配CPU的产品更泛用或者说能够面向更多行业。