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金融界 2024 年 12 月 20 日消息，国家知识产权局信息显示，合肥安德科铭半导体科技有限公司申请一项名为“一种半导体薄膜的原子层沉积方法”的专利，公开号 CN 119144943 A，申请日期为 2024 年 9 月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体薄膜的原子层沉积方法，属于半导体材料技术领域。所述方法包括以下步骤：通入前驱体材料和沉积助剂材料对衬底进行沉积，惰性气体吹扫后，再通入共反应剂，惰性气体再次吹扫；循环若干次，沉积得到半导体薄膜。本发明相较于传统的 ALD 沉积方法，采用沉积助剂材料辅助前驱体材料沉积，可有效提高薄膜的均匀性，减少薄膜中的杂质含量。
本文源自：金融界
作者：情报员
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