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金融界2024年12月5日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制作方法、集成电路、电子设备”的专利，公开号 CN 119069436 A，申请日期为 2023年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制作方法、集成电路、电子设备。半导体器件包括第一外延层、钝化层和金刚石散热层。其中，钝化层位于第一外延层和金刚石散热层之间。第一外延层背离钝化层的一侧设置有栅极。钝化层朝向金刚石散热层的一侧表面设置有凹槽。沿半导体器件的厚度方向，凹槽在第一外延层上的投影覆盖栅极的至少部分。金刚石散热层覆盖钝化层并且填充凹槽。在本申请的半导体器件中，钝化层的凹槽结构不仅可以增加金刚石散热层与钝化层的接触面积，从而增加金刚石散热层与钝化层之间的结合力，并且还可以减小栅极与金刚石散热层之间沿半导体器件的厚度方向的热扩散距离，进一步提高半导体器件的散热效率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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