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金融界2024年11月28日消息，国家知识产权局信息显示，厦门弥图睿半导体科技有限公司申请一项名为“一种棒涂印刷晶圆级FET的制备方法”的专利，公开号CN 119028827 A，申请日期为2024年8月。
专利摘要显示，一种棒涂印刷晶圆级FET的制备方法，涉及一种晶圆级FET的制备方法。本发明是要解决目前费米钉扎效应使得二维半导体FET性能较低以及旋涂的方式溶液大量浪费的技术问题。本发明采用棒涂方式，以电化学辅助液相剥离的二维半导体为n型沟道材料，以高导电MXene为电极，降低电极材料与沟道材料之间的肖特基势垒，实现准欧姆接触，从而呈现较好的晶体管特性。本发明用棒涂的涂覆方式制备FET沟道，实现节约的同时降低操作难度，可以提高FET晶体管的电学性能，为工业化生产提供可行性。
本文源自：金融界
作者：情报员
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