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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，华硼中子科技（杭州）有限公司申请一项名为“一种含多浓度抗氢脆层的加速器中子源靶及其制备方法”的专利，公开号 CN 118945971 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本发明涉及中子源靶领域，公开了一种含多浓度抗氢脆层的加速器中子源靶及其制备方法。首先，本发明加速器中子源的多浓度 V‑Ta 抗氢脆层以 V‑Ta 复合材质作为原料，并控制 Ta 含量由基体至靶材层方向在特定范围内递增，可在抗氢脆层较厚情况下仍具有较低的应力，因此可有效避免抗氢脆层的开裂或脱落；其次，本发明通过溅射功率的差异化设置来构建形成 Ta 含量递增的多浓度 V‑Ta 抗氢脆层。在此基础上，本发明还通过小车速率来优化抗氢脆层不同厚度中 Ta、V 原子的混乱程度以及物相结构，从而有利于获得性能更佳的抗氢脆层。
本文源自：金融界
作者：情报员
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