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金融界2024年10月29日消息，国家知识产权局信息显示，沃孚半导体公司申请一项名为“用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法”的专利，公开号 CN 118824948 A，申请日期为2019年12月。
专利摘要显示，本发明涉及用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法。具体地，本发明涉及用于去除晶体材料（例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体（例如>800μm厚度），其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区域。具有高于25℃的玻璃化转变温度的粘合材料可以将衬底结合到载体。晶体材料沿表面下的激光损伤区域断裂，以产生包括载体和晶体材料的一部分的结合组件。晶体材料的断裂可以通过以下方式促进：（i)接近于至少一个载体边缘施加机械力以在载体中赋予弯曲力矩；（ii)当载体具有比晶体材料更大的热膨胀系数时冷却载体；和/或（iii)向晶体材料施加超声能量。
本文源自：金融界
作者：情报员
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