北京
金融界 2024 年 10 月 29 日消息，国家知识产权局信息显示，上海朋熙半导体有限公司申请一项名为“一种晶圆缺陷签名分析方法、设备、介质及产品”的专利，公开号 CN 118823465 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本申请实施例涉及晶圆缺陷分析领域，公开了一种晶圆缺陷签名分析方法、设备、介质及产品。采集训练数据，获取历史 klarf 数据，进行 defect 坐标信息解析，生成训练晶圆图，并标注 pattern signature 的类别；构建实例分割算法模型，通过所述训练晶圆图对所述实例分割算法模型进行训练；获取待预测 klarf 数据，进行 defect 坐标信息解析，生成待预测晶圆图；调用所述实例分割算法模型，对所述待预测晶圆图进行分析，输出 pattern signature 的类别和位置信息；对所述 defect 坐标信息分析，得到每个 defect 的位置信息；计算得到 defect signature 类别和 outlies defect。可以至少用以解决 defect 在空间特征分析中缺失 signature 标签的类别属性的问题。
本文源自：金融界
作者：情报员
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