金融界2024年10月9日消息,国家知识产权局信息显示,海信家电集团股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN 118748200 A,申请日期为2024年6月。
专利摘要显示,本发明公开
了一种半导体装置,半导
体装置包括:半导体基
体,其具有第一主面和第
二主面,第一主面和第二
主面在竖直方向上间隔
设置;漂移层,其设置于
第一主面和第二主面之
间;基层,其设置于漂移
层朝向第一主面的一侧;
沟槽,其从第一主面贯穿
基层且到达漂移层中;集电极层,其位于漂移层朝向第二主面
侧缓冲层其位于漂移层和集电极层之间缓冲层中设置
有避让区域;第一浮空层,其设置于避让区域中,且竖直方向的
两侧分别与漂移层和第一集电极层相接触。由此,通过在缓冲
层中设置第一浮空层,可以加快半导体装置进入双极导通,从
而在半导体装置正向导通时可以有效抑制甚至消除电压折回
现象。
本文源自:金融界
作者:情报员
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