精品课程：《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》

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《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》

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本课程共计25课时，目前已经连载到第10课时：ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案

课程目录

1.市场需求

·高可靠性的电子产品/芯片对人们的重要性（从消费级，工业级，车规级，航空到军工）

·芯片/系统级ESD防护的市场需求及重要性

2.技术挑战

·宏观的介绍ESD防护的技术挑战及国内ESD保护的现状

3.ESD的模式及工业测试标准

·芯片级/系统级的工业测试模型及测试标准，并介绍客服对芯片级/系统级ESD保护的反馈及趋势

4.ESD的测试

·宏观的介绍芯片级/系统级ESD测试方法

5.ESD防护设计概念

·ESD保护必须要遵守的基本概念及常用ESD防护器件（ggnmos，sgpmos，bigFET，scr等器件在ESD冲击下的行为模式）

6.工艺对ESD的影响及对应的防护技术

·宏观介绍工艺对ESD防护的影响

·工艺对ggnmos，scr等带回扫特性的影响及解决方案

·最后介绍使用scr的必要设计概念及多种以scr为基础的防护方案

7.高可靠性ESD设计

·开场以使用代工厂提供的通用ESD保护器件设计的影响

·代工厂一般提供哪些免费通用ESD器件

·当您使用代工厂ESD器件防护芯片时的困扰是什么

·如何使用代工厂的ESD器件有效的防护您的芯片

·代工厂的ESD器件受限有哪些

·如何偷代工厂的ESD design rule及如何画好ggnmos版图为例做介绍

·ggnmos的non-uniform turn-on的原理及版图上的解决方案

·介绍全芯片的两种防护策略：pad-based以及rail-based的设计要求，限制及比较

·最后以多种实例介绍失效原因，解决方案做结尾

8.闩锁效应（Latch-up)

·什么是latch-up

·Latch-up的工业测试标准及方式

·预防latch-up的方法

·如何设计latch-up test chip增强您芯片latch-up可靠性

·最后以各种实例介绍非预期的latch-up paths

9.团队成功案例

·简介团队在芯片级/系统级ESD防护的成功案例

·团队的技术能力，服务项目及对标客户

10.问题与解答

课程摘要

集成电路的发展有三个过程。第一过程，做出来了可以用就行。第二过程，能够用而且要求好的性能，第三个过程，性能好而且可靠性要高。

中国刚刚进入第三个过程，在与国外集成电路产品的市场竞争中，可靠性问题是国产集成电路产品的短板，尤其是在高稳定性和可靠性的芯片方面，国内和国外的差距是巨大的。而静电放电所产生的破坏又是可靠性里面的一个重要的环节。随着集成电路的复杂性持续升高，如何设计有效的静电保护成为一个非常关键的技术瓶颈。

这次的课题主要分享静电保护的市场需求，技术挑战及如何设计高抗性的芯片级ESD/Latch-up防护。前半段以深入浅出的方式讲解ESD防护设计概念，后半段解密如何使用代工厂提供的免费ESD器件保护您的芯片，并且延伸至全芯片ESD/Latch-up防护。

此课程兼顾理论及配合实例，带领各位一步步了解如何设计高可靠性的ESD/Latch-up防护。

授课讲师

赖大伟高级顾问

赖大伟于中国台湾交通大学电子专业硕士毕业。有15年以上海外知名半导体企业任职经验， 2003年加入台积电任职IO ESD电路工程师；2010年加入新加坡 GlobalFoundries 任职ESD技术经理；2013年至2021年加入荷兰NXP公司，任职IO ESD首席架构设计师并于2019年获得NXP著名发明家奖项。现任苏州智聚芯联特聘高级顾问、杭州昕位科技特聘高级顾问、西安电子科大企业导师。2024年评定省千创新人才、杭州市西湖明珠人才。

赖大伟长期致力于IC领域中的IO/ESD保护模块设计，在多家国际头部公司担任核心职位，其技术涵盖CMOS、SOI和HV（高压） BCD等多种工艺，从0.18um到16nm线宽均具有丰富的经验。有丰富的车载ESD的设计经验，在NXP工作期间，负责40nm和16nm先进工艺的片上ESD保护架构设计，解决车载以太网芯片系统级保护难题，单颗芯片降本约30%，广泛用于其他工艺和产品。并于2017年被“EOS/ESD Symposium”授予“Industry Contribution Award”

在个人创新研发方面，赖大伟同志已申请并获得87项专利，这些专利经常被业界广泛引用和应用。此外，还在IEEE等国际权威期刊上发表了多篇科技论文，这些论文在相关学科领域引起了重大话题和广泛的讨论，并获得较高的学术评价。

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