NANDFlash晶圆价格上涨 SK海力士1c nm工艺开发成功

甬兴证券近日发布电子行业存储芯片周度跟踪：NANDFlash晶圆价格上涨，SK海力士1c nm工艺开发成功。

以下为研究报告摘要：

NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，2024Q2消费类NAND Flash零售渠道的出货量大幅减少。根据DRAMexchange，上周（0826-0830）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.22%至4.64%，平均涨跌幅为0.51%。其中6个料号价格持平，9个料号价格上涨，7个料号价格下跌。根据TrendForce集邦咨询最新调查，2024年第二季模组厂在消费类NAND Flash（闪存）零售渠道的出货量已大幅年减40%，全球消费性存储器市场正面临严峻挑战。此外，NAND Flash wafer（晶圆）价格持续上涨，使得模组厂的营运成本大幅增加。

DRAM：颗粒价格小幅波动，SK海力士成功开发第六代10纳米级（1c）DDR5DRAM。根据DRAMexchange，上周（0826-0830）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-4.73%至0.07%，平均涨跌幅为-1.10%。上周1个料号呈上涨趋势，17个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5DRAM，明年开始供应。

HBM：SK海力士确认1c nm工艺将用于HBM等DRAM内存产品。根据CFM闪存市场报道，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5DRAM。由此，向世界展现了10纳米出头的超微细化存储工艺技术。SK海力士以1b DRAM平台扩展的方式开发了1c工艺，而且，SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以上。

市场端：渠道内存和SSD价格小幅下跌。上周（0826-0830）eMMC价格环比下跌5.39%，UFS价格环比下跌3.10%。根据CFM闪存市场报道，渠道市场经历三轮下跌后跌幅收窄，小容量产品不再降价，需求略增但市场仍消沉，本周渠道内存条和SSD价格小幅下跌。PC行业库存高企，OEM厂商采购和议价意愿低，积极去库存，小容量SSD需求有限，整体SSD和内存条价格稳定。嵌入式产品价格全面下调，受消费类需求不振影响，低容量eMMC降幅大，高容量产品为争取市场小幅调降。

投资建议

我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

风险提示

中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。（甬兴证券 陈宇哲）

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