【硬件资讯】涨！全都可以涨！台积电3nm、5nm订单涨价，2nm产能扩张就绪！就连埃米级工艺也已经在路上了！

新 闻①： 台积电明年3/5nm订单涨价3~8%，CoWoS封装报价很快也会上调

近期越来越多的客户跟随苹果开始大批量在台积电（TSMC）的3nm制程节点下单，针对苹果和英伟达等主要客户的产能都已全部分配，预计订单延伸至2026年。此前就有 报道 称，台积电打算提高先进工艺及先进封装的订单报价，已得到部分客户的同意。

据DigiTimes 报道 ，台积电在7月陆续向多家客户表明2025年3nm和5nm订单将会涨价，预计涨幅会在3%至8%之间。台积电的目标是要维持53%的毛利率，这种成本压力将转嫁到客户群体上。由于同类型制程工艺没有其他选择，代工业务缺乏竞争对手，即便芯片设计公司因市况不达预期产生怨言，也只能选择接受。

目前3nm和5nm产能处于满载状态，为此台积电整积极扩大产能，以满足客户的需求。由于7nm以下转单成本高昂，风险也相当高，一般芯片设计公司不会随意更换代工厂，不仅在台积电3nm排队，甚至还陆续在2nm下单。

台积电董事长兼首席执行官魏哲家直言，台积电没有竞争对手，几乎全球的人工智能（AI）和高性能计算（HPC）芯片都出自台积电。同时还明确表示，虽然市场都说台积电报价高，但以客户拿到的芯片来看，台积电价格和晶圆就是比别人要好，因此还有上调空间，希望能很快调涨。

此外，台积电也将提高CoWoS封装的报价， 传闻 涨幅在10%至20%之间。有业内人士称，由于台积电能提供从先进工艺生产到先进封装全套服务，且没有竞争对手，难以转单的客户面对涨价一个也逃不掉。

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这玩意涨价是板上钉钉了，大家还记不记得之前3nm就涨过一次了，既然还得到了高通等客户的“支持”，明年芯片成本暴涨应该是板上钉钉的事了。另外，此次受影响的不光是先进工艺制程，还有同样紧缺的CoWoS封装报价，也很快就要上调了，这样一来先进半导体芯片的价格只会更高吧……

新 闻 ②： 台积电2nm产能扩张初具规模，已经在为A14工艺建厂做准备

此前有 报道 称，台积电（TSMC）为了应对市场对2nm工艺技术的强劲需求，持续对该制程节点进行投资，2025年资本支出将再次飙升，预计达到320亿至360亿美元，同比增长12.5%至14.3%，是其历史第二高的年份。台积电新的产能扩张计划是针对中国台湾的高雄楠梓园区，除了2022年9月开始的2nm工厂一期建设工作，以及进行中的二期工程，为了扩大生产还启动了三期工程。

据Trendforce 报道 ，为应对全球芯片订单的增加和人工智能（AI）的快速发展，台积电正在台湾范围内积极地寻求可用土地。除了三座2nm工厂，台积电还需要在高雄楠梓园区寻找额外的土地，容纳2nm以下先进制程节点所需要的设施。当地主管部门也在积极准备，通过评估土地可用性以及水电供应，为台积电的下一代先进技术生产做好准备，主要针对接下来的A14工艺。

有报告指出，高雄楠梓园区最多可容纳台积电五座晶圆厂，而四期和五期工程就是专注于A14工艺。该园区首座2nm工厂将于2025年量产，生产用于高性能计算（HPC）、智能手机、电动汽车和自动驾驶应用的芯片。

今年6月，台积电在中国台湾嘉义科技园新建的先进封装厂P1，因地质钻探时发现“疑似遗迹”突然 暂停 施工。由于近两年CoWoS封装产能一直很紧张，此事也引起了外界的担忧。不过最新消息称，虽然延误了一些工期，但是台积电的调整计划已经获得批准，将调整工作流程，以便按原定时间施工，不会改变最终的完工时间。

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除了即将涨价的3nm、5nm外，台积电这边更先进制程也要来到台前了，台积电2nm工艺的产能扩张已经初具规模，苹果有望成为第一个客户。另外，台积电甚至已经开始为A14工艺的生产做准备了，这应当是步入埃米时代的第一步了吧。

新 闻③ ： 三星最快2024Q4安装其首台High-NA EUV，或早于台积电得到最新光刻工具

本月初，英特尔首席执行官Pat Gelsinger在2024年第二季度的财报电话会议上 透露 ，位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地即将迎来第二台High-NA EUV光刻机，很快就会进入厂房。早在去年末，ASML已向英特尔交付业界首台High-NA EUV光刻机，并在今年4月完成组装工作，进入到校准步骤。

据相关媒体 报道 ，三星将于2024年第四季度到2025年第一季度之间开始安装其首台High-NA EUV光刻机，主要用于技术研发，将安装在华城园区，预计2025年中开始使用。三星已决定开发用于逻辑和DRAM芯片的下一代半导体制造工艺，一些技术需要通过High-NA EUV光刻机实现。此外，三星还与Lasertec、JSR、Tokyo Electron和Synopsys合作，打造High-NA EUV生态系统。

据了解，ASML手上已经受到了十多台High-NA EUV光刻机的订单，除了英特尔，还包括台积电、三星、SK海力士、以及美光。此前ASML 证实 了台积电将在今年引入High-NA EUV光刻机，传闻三星和SK海力士则要等到明年，预计在2025年下半年。不过按照现在的情况来看，三星可能会早于台积电拿到High-NA EUV光刻机。

High-NA EUV光刻机是具有高数值孔径和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光大批量生产系统，用于制造3nm以下的芯片。其提供了0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。有消息称，一台High-NA EUV光刻机的价格大概为3.8亿美元，是EUV（约1.83亿美元）的两倍多。

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三星在经历了5nm反超、3nm反超、2nm反超等等多轮反超之后，终于在设备上比台积电强上了一些。三星最快会在2024年Q4季度安装其首台High-NA EUV光刻机，这进度会比台积电早不少。不过三星已经360度反超了这么多代，这次就算用上先进工具，能不能实现反超也……很难说啊……

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