山东
IT之家 8 月 1 日消息，SK 海力士今天（8 月 1 日）发布博文，宣布将出席 8 月 6 日至 8 日，在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的全球半导体存储器峰会 FMS 2024，展示诸多新一代产品。
未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage）简介
前身是主要面向 NAND 供应商的闪存峰会（Flash Memory Summit），在人工智能技术日益受到关注的背景下，今年重新命名为未来存储器和存储峰会（Future Memory and Storage），以邀请 DRAM 和存储供应商等更多参与者。
新产品
SK 海力士去年在 FMS 活动中宣布开发出业界最高的 321 层 NAND，今年也将展示诸多 AI 领域的新产品，包括 12 层 HBM3E（预计在第三季度量产）和 321-high NAND（明年上半年开始出货）。IT之家附上 SK海力士即将展示的新产品如下：
从左上开始，顺时针依次为 321 层 NAND 闪存、ZUFS 4.0、PS1010 和 PCB01
从左上开始，顺时针依次为 LPDDR5T、HBM3E、CMS 2.0 和 GDDR6-AiM演讲
SK hynix HBM 工艺集成主管 Unoh Kwon 和 SSD PMO 主管 Chunsung Kim 将在活动开幕式上发表题为《人工智能时代的 AI 内存和存储解决方案领导力与愿景》的主题演讲。
两位高管将分别介绍公司的 DRAM 和 NAND 产品组合，以及为实现人工智能而优化的人工智能内存解决方案。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
