江西
王爷说财经讯：结果差强人意！拼命追赶，还是惨输台积电，三星3纳米芯片最新良率（合格率）曝光！到底合格率多少？
3月24日消息，台积电的先进制程技术遥遥领先其他竞争对手，也获得全球大客户肯定。不过韩国三星电子仍努力追赶，想要分一杯羹。据最新爆料，三星的3纳米芯片良率（合格率）已大幅提升到原本的3倍，但仍是落后台积电。
据科技平台Wccftech引述知名爆料者Revegnus在社群平台X（前身为推特）的发文报道称，三星的3纳米芯片制程良率一开始虽然只有1020%，但最近已拉升至3倍以上。
如上，王爷说财经注意到，虽然三星如今3纳米芯片制程良率已达3060%之间，但Revegnus直言，相较于使用FinFET制程的台积电，三星的良率数据依然偏低。不过三星对于第二代3纳米芯片制程寄予厚望，据传其效能、功耗及面积（Performance、Power、Area；PPA）相当于台积电的N3P。
Revegnus还表示，据消息人士透露，三星3纳米芯片制程的能源效率、逻辑区域，都较4纳米FinFET改善2030%。
不过Wccftech在报导中直言，随着台积电今年积极将3纳米晶圆产能扩大到每月约10万片的规模，三星几乎没有机会赶上，在过去的几年里，台积电在这个领域几乎看不到竞争。
最后，上述报道还警告称，三星必须将良率进一步提高70%，才能重拾高通等先前客户的信心。不过到目前为止，三星的3纳米GAA芯片只有加密挖矿行业客户的订单，并没有加入更多其他客户。
很可能是因为许多公司对三星的早期样品印象不佳，因此决定在可预见的未来继续使用台积电。当然，就目前来看，三星虽仍致力于做出调整，但要对其代工劲敌——台积电构成威胁还需要一段时间。
对此，你怎么看？
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