武汉新芯：进军HBM！

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　　3月17日消息，随着美国对中国半导体出口的监管不断深化，中国正在加紧努力保障国内半导体供应链。

　　据了解，武汉新芯近日发出高带宽存储器（HBM）项目招标邀请。韩国业界认为，这表明中国存储器行业正在将HBM置于未来发展战略的前沿。

　　据悉，武汉新芯最近通过发出组装线建设和先进封装技术开发招标邀请开始了 HBM 业务。

　　据了解，武汉新芯集成电路制造有限公司发生工近日，走商变更，新增中国互联网投资基金(有限合伙)等30位股东，注册资本由约57.82亿元增至约84.79亿元。该公司还发布了《高带宽存储芯粒先进封装技术研发和产线建设》招标项目，利用三维集成多晶圆堆叠技术，打造更高容量、更大带宽、更小功耗和更高生产效率的国产高带宽存储器(HBM)产品。拟新增设备16台套，拟实现月产出能力>3000片(12英寸)。

　　国内多家企业宣布进军HBM相关领域。

　　中国某领先的后端公司和chiplet先进封装领域的领导者，最近也宣布其高密度扇出封装解决方案可支持HBM封装。

　　通富微电子据称已与中国一家主要 DRAM 制造商合作部署 HBM。

　　一位业内人士表示，“HBM封装支持比现有采用FCBGA的DRAM要困难得多。目前在中国，只有通富微电子、超晶半导体等一线后端公司拥有支持HBM生产的技术和设备。”

　　与此同时，中国IC设计公司国芯也声称正在与上下游合作伙伴合作开发先进芯片封装等HBM相关技术。

　　HBM正在成为存储器企业的关键竞争领域

　　HBM有望成为存储器企业的关键竞争领域，目前只有SK海力士、三星电子和美光科技有能力量产HBM。2023年第四季度，SK海力士DDR5和HBM3的销量较2022年同期分别增长了四倍和五倍。

　　三星电子还宣布，计划满足生成式人工智能对支持 HBM 的服务器和 SSD 的需求。美光首席执行官 Sanjay Mehrotra 表示，该公司已在 2024 年售完其可用的 HBM 产能。

　　据市场研究公司Yole Group预测，2024年HBM的平均价格预计将是现有DRAM的五倍。随着需求快速增加，预计2023年至2028年HBM供应量将保持年均45%的高水平，并且由于扩产困难，预计HBM价格将在较长一段时间内保持高位。

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