台积电3nm晶体管密度竟然高于Intel 18A！

3月13日消息，据外媒报导，在最近2024 SEMI International Strategy Symposium会议上，半导体研究机构TechInsights分享了台积电、英特尔、三星的尖端制程比较，显示台积电的3nm性能可能要优于英特尔Intel 18A。

英特尔计划在今年下半年量产Intel 18A，并于明年推出相关产品，但是并没有公布Intel 18A的能耗数据。根据TechInsights公布的数据来看，台积电3nm（N3）制程或强化版N3E的晶体管密度分别为283MTx/mm²（每平方毫米百万晶体管）、273MTx/mm² ，都高于英特尔Intel 18A的195MTx/mm²。不过，英特尔Intel 18A采用背面供电（Backside power）技术，对降低能耗有一定帮助，但Intel 18A大幅超越台积电3nm性能还是不太可能。

除了英特尔，三星先跨入GAA构架Nanosheet制程，力图弯道超车台积电。比较晶体管密度、性能、能耗后，同年制程三星都落后台积电；台积电晶体管密度也约是三星1.5倍以上；先进制程客户数量方面，台积电也远远超过三星。

台积电法说会说，2nm将于2025下半年量产，3nm家族也持续扩大强化版。N3E于2023年第四季量产后，之后还有N3P和N3X，近期AI需求激增，也支持节能运算需求加速成长，又使3奈米家族营收占比提高。

日前IFS Direct Connect英特尔分享「四年五节点」最后节点Intel 18A制程后计划，公布新制程，新增Intel 14A-E和数个专业节点强化版。照英特尔计划，Intel 14A最快2026年量产，Intel 14A-E要到2027年。但英特尔还未宣布Intel 14A和Intel 14A-E产品。

三星2022年6月底为全球首家量产采用全栅极（GAA）构架3nm的厂商，2024年量产第二代3nm，2025年量产2nm。最近三星通知客户和合作伙伴，第二代3nm更名为2nm，韩国业界人士表示接到三星通知，2023年与三星代工厂签订第二代3nm协议，也会改名为2nm，近期会重新拟约。

编辑：芯智讯-浪客剑