财联社3月13日电,三星电子发布声明称,关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF(批量回流模制底部填充)技术的传言并不属实。早些时候有报道称,三星计划采用SK海力士使用的MR-MUF封装工艺,替代部分其目前采用的非导电薄膜(NCF)技术。
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