存储芯片迎爆发机遇！数据中心驱动量价齐升，龙头全梳理

存储产品“千端千面”，应用场景丰富，作为“半导体风向标”呈现较强周期性。

受19年全球半导体市场熊市的影响，我国半导体存储器经历了连续两年的负增长，而在近两年快速恢复。

#半导体#

随近期GPT引爆AI热潮，井喷的数据流量需要更强算力的服务器支持，运营商、云服务厂商将进入大量建设数据中心的阶段，进一步推动内存和存储消耗市场的显著增长。

#存储#

当前存储行业在美光审查落地、长鑫存储 NAND 产品小幅提价等催化下，以及景气度反转前提下，存储产业业格局未来有望呈现国产化加速的局面。

国产化产业链材料及设备、模组厂商、晶圆代工厂、封测以及分销厂商等各环节有望协同发展迎来新一轮机遇。

WSTS预计2023年全球半导体存储市场规模将达1116亿美元。

存储行业概览

计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。

按存储介质的不同，存储设备可以分为光学存储、磁性存储和半导体存储三大类，产品形态包括采用光学存储的CD、DVD。

采用磁能存储的软盘、机械硬盘、磁带等；以及采用半导体存储的RAM（random access memory，随机存储器）、ROM（read only memory，只读存储器），即内存储器、固态硬盘、U 盘等。

目前，以内存、固态硬盘等为主的半导体存储和以机械硬盘为主的磁性存储为市场的主流产品。

存储芯片通过对存储介质进行电子或电荷的充放电标记不同的存储状态实现数据存储，根据断电后存储的信息是否留存分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片。

目前市场主流的半导体存储器以DRAM（动态随机存储）、NAND Flash和NOR Flash。

根据ICinsights的数据，存储芯片市场上,易失性存储芯片DRAM是最大的细分领域,占整体半导体存储市场规模约56%的比例，非易失性存储芯片NANDFlash和NORFlash分别占有约41%、2%的份额,其他如EEPROM等存储器其他占比为1%左右（EEPROM芯片占比最高）。

DRAM

DRAM为动态随机存取存储器，是存储器细分产品中的营收占比最大的产品，可分为主流DRAM与利基型DRAM。两者的区别在于，主流DRAM是市场的主流规格，生产标准化较强。

DRAM技术路线图：高深宽比工艺，提高精度和材料的特定适应性

DRAM集成度高、价格便宜、功耗低、存取速度慢。它通过不断地刷新电路来进行数据的保存，从存储能力来说，DRAM所能提供的存储容量更大，访问时间较长，但由于不断刷新电路也导致其功耗较高，速度较慢，且每个芯片有1个晶体管和一个电容。

利基型DRAM多数是从主流规格退役的DRAM产品，相对较为低端，占全部内存份额约为10%左右。

据TrendForce数据，22Q4全球DRAM市场规模为121.55亿美元，主要被三星、SK海力士、美光三家巨头垄断，三家市场份额合计高达95.8%；22Q4全球NAND Flash市场规模为102.87亿美元，主要被三星、铠侠、SK 海力士、西部数据、美光五家垄断，五家市场份额高达96.9%。

Flash可分为NOR Flash和NAND Flash两大类：NAND容量大、单位容量成本低，NOR读取速度快、可靠性高、擦除速度快。

NOR Flash以编码应用为主，其功能多于运算相关，主要应用场景为各移动端/车机端的系统中。

NAND Flash

NAND Flash主要功能是存储资料，多应用于嵌入式系统采用的DOC及闪盘。NANDFlash是一种通用型非易失性存储芯片，具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点，可为固态大容量内存提供廉价有效的解决方案。通常用于计算机或电子设备的固态硬盘、嵌入式及扩充式存储器。

相对于NAND Flash，NOR Flash的优势在于其读取速度较快。

NANDFlash行业集中度整体较高，目前CR3市场份额达65%，CR6市场份额接近95%。从市场结构上看，根据Statista和TrendForce数据显示，短期内NAND行业市场入局厂商增多，行业集中度有所下降但总体仍较高，2010Q1-2022Q3 NAND行业CR3从85%下降到65%。前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士，2022Q3市场份额分别为31.4%、20.6%和13.0%，三家合计占比65.0%。随着海力士收购英特尔的闪存和SSD业务，以及WDC重启与铠侠的合并谈判，预计未来行业集中度将进一步提高。

全球EEPROM芯片生产厂家梯队示意图:

存储芯片国内先发布局的龙头厂商包括兆易创新（NorFlash龙头，DRAM进展顺利）、东芯股份（纯利基型存储标的，SLC NAND占比高）、普冉股份（利基型NorFlash）、澜起科技（DDR5接口芯片）、聚辰股份等。

存储产业链

存储芯片行业的发展离不开资金支持，在集成电路产业基金投入和资本市场的支持下中国整个存储行业取得快速发展，各存储产品呈现百花齐放态势，现处于快速发展期。

经过十几年的技术积累，目前中国已基本形成完整的存储产业链条，在存储IDM、Fabless、晶圆代工、封装测试、模组、材料和设备上都有国内厂商布局，并形成了长三角、珠三角、京津环渤海与中西部四大主要产业聚落，产业集群效应强大，进一步提高了区域生产效率和加深区内生产的分工和协作。

上游存储晶圆的设计及制造标准化程度较高，存储器的功能特性通过存储介质应用技术及芯片封测等产业链后端环节实现。不同应用场景对存储器的参数要求复杂多样，涉及容量、读写速度、可擦除次数、协议、接口、功耗、尺寸、稳定性、兼容性等多项内容。

近年来下游新兴行业迎来快速发展，对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力的要求不断提升，带动存储芯片的数量增加、性能升级和成本优化。

存储产业链及部分代表厂商：

随着物联网(IoT)、智能汽车、工业机器人、AI算力提升带动数据中心需求以及ChatGPT催化智能化应用对存储芯片的需求拉动，存储价格有望逐渐接近下行周期底部。

#6月财经新势力#

国金证券分析认为，23年供过于求的格局有望改善，NAND或先于DRAM复苏。NAND厂商实质减产时间较早，TrendForce预计2023年NAND供给位元增幅将收敛至21%，NAND需求位元同增27%，主要得益于服务器单机搭载容量同增24%，手机闪存容量同增22%，供需差比例从22年的9%下降到23年的4%。而由于DRAM厂商扩产计划延后，2023年DRAM供给位元增幅不足10%，且受疫情期间电脑透支消费，手机内存容量增速不如闪存等因素影响，DRAM需求位元增幅来到历史低位，23年仅同增1%。综合导致DRAM供需改善慢于NAND，预计2023年下半年NANDFlash或先于DRAM好转。