中科院3纳米芯片将在明年商用，美国和ASML这下子傻眼了

近期美国拉拢了日本和荷兰的芯片设备企业，试图进一步阻止中国发展先进芯片制造工艺，然而中国芯片却已找到了新的技术路线发展先进芯片技术，这将让美国的图谋落空，紧跟美国脚步的ASML恐怕也傻眼了。

中国芯片备受美国掣肘的芯片技术其实属于硅基芯片技术，美国通过掌控着硅基芯片技术以及材料等，采用长臂管辖的方式迫使日本的光刻机企业和ASML听从美国的指挥，由此它们不得不跟从美国的脚步。

然而硅基芯片技术本身就已日益接近极限，全球最先进的芯片制造企业台积电研发3纳米工艺就遇到了麻烦，3纳米工艺量产时间被一再延迟，这已导致业界担忧台积电能否如期在2024年量产2纳米工艺。

硅基芯片技术逐渐接近极限，促使全球芯片行业早就开始研发更先进的芯片技术替代现有的硅基芯片技术，目前全球研发的新芯片技术有光子芯片、量子芯片、石墨烯芯片技术等，美国在碳基芯片技术方面已有突破，2022年美国一家新创公司就宣布将碳纳米管引入芯片，以90纳米工艺生产的芯片性能可以比7纳米硅基芯片高出50倍。

在新的芯片技术研发方面，中国其实早已有所准备，中国在上述的光子芯片、量子芯片、石墨烯芯片等都有芯片企业从事研发，这次中国在3纳米芯片技术上的突破其实就是光子芯片，由中科院推动，进展相当快。

在2022年底媒体报道了全球第一条光子芯片生产线已在北京筹建，预计2023年就能投入量产，今日消息指中科院也宣布了3纳米光子芯片晶体管技术取得突破，证明中国确实有足够的能力确保光子芯片的量产。

光子芯片为全新的芯片技术，中国由此从芯片设备就开始实现自主化，其中合肥本源电子研发的无损探针电学测量平台被誉为光子芯片的光刻机，确保光子芯片生产的设备完全采用国产设备，如此光子芯片的生产将完全自主可控。

中科院、北京芯片企业以及合肥本源电子等多方合作，互相呼应，证明中国正有序推进光子芯片的量产，如此中国将成功实现弯道超车，为绕开美国的芯片技术限制开辟了新道路，如此美国、ASML等试图阻碍中国研发先进芯片技术的图谋将落空。

中国还在千方百计打破美国的限制，在新芯片材料方面也取得了进展，中国在第三代半导体材料方面已取得领先优势，一家科技企业生产的5G小基站被日媒拆解后发现已引入第三代半导体材料砷化镓，凸显出中国在芯片新材料方面已开始进入商用阶段，这同样有助于中国绕开现有的硅基芯片技术路线。

中国芯片行业所取得的这些成就，都说明美国的限制反而加速了中国芯片技术的发展，并且为全球芯片行业开辟新芯片技术路线，推进了诸多新芯片技术的商用化，最终将终结美国在硅基芯片技术上的垄断，到了那时候美国在芯片技术的优势将彻底被终结，这完全是美国搬起石头砸自己的脚。