国产光刻机大事年表

• 五十年代：奠基

1952年，成立电子计算机科研小组，由中科院数学所所长华罗庚负责；

1956年，半导体技术作为四大紧急措施之一写入中科院的学部委员们编撰德《十二年科学技术发展远景规划》，获得周总理批示；

• 六七十年代：前进

1966年，中科院下属109厂与上海光学仪器厂协作，研制成功我国第一台65型接触式光刻机；

1970年代，中国科学院开始研制计算机辅助光刻掩模工艺；

1971年，清华大学精密仪器系教师徐端颐，回京负责新一代光刻机的研发；

1972年，武汉无线电元件三厂编写《光刻掩模版的制造》；

1977年，光刻机座谈会在江苏吴县召开；

1977年，中国第一台GK-3型半自动接触式光刻机诞生，与国际水平有一定差距；

1978年，中科院1445所升级开发GK-4，仍为接触式，中美技术差距20年；

• 八十年代前期：仅次美国，比肩日韩

1980年，徐端颐及其团队研制第四代分步式投影光刻机获得成功，光刻精度达到3微米，接近国际主流水平；

1981年，中国科学院半导体所研制成功JK-1型半自动接近式光刻机；

1982年，科学院109厂的KHA-75-1光刻机，估计跟当时最先进的canon相比最多也就不到4年差距；

1984年，“拨改贷”，众多半导体项目无奈停止；

1985年，中电科45所研制出分步投影式光刻机，通过电子部技术鉴定，认为达到1978年美国GCA公司推出的4800DSW水平。这应当是中国第一台分步投影式光刻机，中国在分步光刻机上与国外的差距不超过7年。后来的光刻机巨头ASML公司刚刚诞生。

（国内半导体产业薄弱，虽有光刻机，没有市场，也就没有商业化，机器都只是实验室摆放，相关研究成果及论文，在通过专家评审后即被束之高阁，之后与国外差距越来越大。“纸上谈兵”，应该是对这个阶段中国光刻机技术的最好注解。）

• 火种湮灭：集中攻关与停滞不前

1986年，电子工业部在厦门,举办集成电路战略研讨会，提出“531战略”,即“普及推广以742厂为基点的5微米技术、研发3微米技术,攻关1微米技术”，但742厂后两种技术的设备和技术仍然全从国外引进；

1987年，724厂与电子部第24所无锡分所合并，成立无锡微电子，即华晶电子前身；

1990年，电子工业部启动“908工程”，目标是建成一条６英寸0.8~1.2微米的芯片生产线，项目由无锡华晶承担；

1991年，中科院光电所研制出分辨率1微米同步辐射X-射线光刻机；

1994年，中电科45所研制出g线0.8微米分步式投影光刻机；

1995年，电子工业部提出实施“909工程”，投资100亿人民币，由上海华虹承担，与NEC合作，项目于1996年启动，未来的二号企业诞生；

908、909两大工程选择与美、日企业合作，国内主体承担企业无锡华晶和上海华虹，工程失败和收效甚微，国内产业也受到严重冲击与挤压。

（上层希望通过市场化和运动式集中攻关换取行业发展，然而外国封锁解除，企业可以购买到更具性价比的国外产品，“造不如买”的思潮迅速蔓延，我国光刻技术的研发和产业化开始停滞不前，国内市场需求成为外企的蛋糕）

• 重新启程

1996年西方国家签订的瓦森纳协议，对中国半导体技术及光刻机等设备出口实行“N-2”原则（即比最先进技术落后两代）；限制华裔工程师进入欧美知名半导体公司的核心部门，以防技术泄露；面对困境，上层曾提出“以市场换技术”，大幅降低关税，结果国内仅存的产业更是受到外企暴风雨般冲击；

1999年，北约入侵科索沃，让国内意识到信息战的威力；

2000年，6月，国务院印发《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》，即18号文件；刺激了海归创业和自主发展热潮；

2002年，新型光刻机被列入“863重大科技攻关计划”，同年，台机电联合ASML成功研发出的新一代光刻机，将芯片制程推进到45nm；

（卡脖子，没得说，市场换技术，换不来最先进技术，街边架铁炉也没法做出芯片，核心技术还是得掌握在自己手上）

• 艰难突破

2002年，成立上海微电子装备有限公司，中电科45所分步投影光刻机的团队一起迁入，承担“十五”光刻机攻关项目，重点研发100nm步进式扫描投影光刻机；

2007年，上海微电子宣布突破365nm光波长的DUV（深紫外）光刻技术，研制出90nm工艺的分布式投影光刻机；（大部分关键元器件外国提供，西方禁运，基本成摆设）

2008年，国家成立“极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项”（02专项），将ASML的EUV技术列为下一代光刻技术重点攻关的方向，国家计划在2030年实现EUV光刻机的国产化；

鉴于上海微电子的前车之鉴，02专项扶持一整批配套企业，长春光电所、上海光电所和国科精密研究曝光光学系统，北京华卓精科承担双工件台，南大光电研制光刻胶，启尔机电负责突破DUV光刻机液浸系统等；

2015年4月，北京华卓精科科技股份有限公司“65nmArF干式光刻机双工件台”通过整机详细设计评审，具备投产条件；

2016年，国科精密研发国内首套用于高端IC制造的NA=0.75投影光刻机物镜系统，国望光学研发首套90nm节点ArF投影光刻机曝光光学系统；

2016年，华卓精科成功研制两套双工作台样机，打破ASML垄断，成为全球第二家掌握这项技术企业；

2016年，上海微电子SSX600系列量产，分别为90nm、110nm和280nm三款，落后时间更久了；且90nm制程一般用于电源、MCU等非核心芯片生产领域；

2017年，6月21日，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（现北京国望光学）牵头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收；

2018年，逐步进入更严重的卡脖子时代；

2018年，11月29日，中科院研制的“超分辨光刻装备”通过验收。光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片；

2019年，清华大学和华卓精科的双工件台系统完成研发和试产基地建设；

2019年，10月，国家大基金二期注册成立，注册资本2041.5亿，其投资方向之一就是光刻机等核心设备及关键零部件；

2020年，中科院光电研究院负责的准分子激光光源系统，由北京科益虹源负责产业转化，研究成果40W 4kHz ArF光源交付；

2020年，8月4日，国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策》，对进口掩模版等制造光刻机所需要的原材料，实施免征关税；

2021年上海微电子计划交付首台国产的28nm的immersion光刻机，和世界上最先进的ASML公司仍然具有20年左右的差距；（跳票中）

2021年，2月，全国集成电路标准化技术委员会成立；

2022年，浙江大学流体动力与机电系统国家重点实验室和启尔机电研发的浸液系统，已成功交付0号样机、1号机，进入产品制造阶段。

就是做个整理。