在 2021 年度技术日活动期间，三星电子透露了有关下一代硬件开发的诸多规划。首先从遵循 JEDEC 规范的 DDR5 标准内存模组开始，该公司计划后续推出更高规格的 SKU 。虽然仍处于开发阶段，许多细节还有待进一步证实，但我们大可期待 DDR5-6400、甚至 DDR5-8400 之类的高频模组将会到来。
其次是下一代 DDR6 内存标准，据说其速率是 DDR5 的两倍。尽管 DDR6 规范仍处于早期开发阶段，但据 TechPowerUp 所述，每条内存模组的通道数量从 2 个升级到了 4 个，Bank 也增加到了 64 。
除了面向台式机 / 服务器平台的 DDR6 芯片，三星电子还致力于开发面向移动平台的低功耗衍生版本（LPDDR6）。
工艺方面，该公司定于 2022 年初启用 1a-nm 来制造 LPDDR5 内存，因而目前讨论 LPDDR6 还有些为时过早。
据说 DDR6 内存的基准速率会达到 128800 MT/s，高端超频模组更可以达到 17000 MT/s 。
接下来是面向图形市场的 GDDR 和 HBM 产品线，预计 GDDR6+ 将把速率从 18000 MT/s 提升至 24000 MT/s，辅以 1z nm 的首选制程工艺（有望本月开始启用）。
之后将是取代 GDDR6+ 的 GDDR7 显存，其速率有望达到 32000 MT/s，并且引入一项名叫“实时错误保护”的新功能（猜测为某种形式的 ECC 纠错方案）。
最后，这家韩国电子巨头宣称定于 2022 年 2 季度量产速率高达 800 GB/s 的 HBM3 产品，预计主要面向合作伙伴的人工智能等特定解决方案。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
