长鑫存储撕开美韩技术壁垒，实现国产从0到3的突破

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手机，电脑等设备都会用上非常多的芯片。除了核心的CPU，GPU之外，存储芯片也是不可或缺的。顶级的存储芯片有更好的性能表现，但一直以来存储芯片市场都被国外垄断。

然而国产巨头长鑫存储撕开了美韩技术壁垒，实现重大突破。在全球存储芯片发展历程中，长鑫存储为何能撕开国外技术壁垒？国产存储芯片该如何发展呢？

长鑫存储打破技术垄断

存储芯片有庞大的市场，是手机、电脑、平板等电子产品背后重要的产业链。以韩国和美国为首，其中韩国的三星，SK海力士分别占据40%和30%的市场份额，再加上美国美光也持有22.5%的市场份额比例。

这三大美韩巨头牢牢占据市场优势，长期垄断存储芯片。

DRAM存储芯片产值不断上涨，截至2021年第二季度，全球DRAM总产值已经达到了241亿美元，季增26%。全球缺芯的背景下，也让三星、SK海力士、美光大赚特赚，营收分别处在世界前三。

韩国的存储芯片市场一直是世界领先的，美国在存储芯片产业也有很高的技术优势。而且三星，SK海力士正在摆脱对国外的材料，设备依赖。

以光刻胶为例，三星正准备使用韩国光刻胶厂商的产品，后续可用于14nm制程的DRAM存储芯片制造。SK海力士还会采用EUV技术生产10nm的DRAM存储芯片产品。

国外的巨头都在加大布局，但其实我国存储芯片巨头长鑫存储也一直在努力，而且成功打破垄断，撕开了美韩三巨头的技术壁垒。

作为国产存储芯片的代表，长鑫存储也在积极参与DRAM产业的布局。去年12英寸晶圆制造厂将月产能提升至每月4万片，并且再次启动每月6万片产能的建设目标。

不仅如此，长鑫存储还在加大建设力度，按照发展规划，今年底预计会建成第三期的DRAM生产项目，产能最高可提升至每月36万片。

产能方面有很大的提升，但同时在技术方面长鑫存储也没有落下脚步。在2019年时，长鑫存储成功实现国产19nm的DDR4、LPDDR4存储芯片量产，成为全球第四家掌握20nm以下的DRAM生产制造商。

另外在市场份额方面，DRAM也实现了国产从0到3的突破，年出货量占全球份额的2.9%。相比美韩三巨头，这是非常小的份额。

但是根据市场预计，我国到2022年，国产存储芯片在全球市场份额中不超过5%。而长鑫存储一家公司就占比全球的2.9%。这不仅体现出美韩三巨头的垄断地位有多么强大，也能看出长鑫存储打破垄断有多么不容易。

长鑫存储为何能撕开国外技术壁垒？

从0到3的突破意味着长鑫存储有了进一步扩展国际市场的机会，有了这样的进步以后，相信在未来还能取得更大的突破，逐步从美韩三巨头手中抢夺更多的市场份额。

需要注意的是，长鑫存储成立于2017年，不到5年的时间就打破了美韩技术垄断。国外巨头都有几十年的发展历史，垄断行业不足为奇，但长鑫存储为何能在短短数年内，撕开国外的技术壁垒呢？

首先长鑫存储积极扩展专利储备，提高市场竞争力。

DRAM产业在美韩巨头的垄断下，形成了很多知识专利体系。长鑫存储在短时间内很难形成与之抗衡的专利技术，为进一步提高市场竞争力，长鑫存储在去年4月份和美国半导体公司蓝铂世签订协议，获取大量专利授权许可。

有了这些保障，长鑫存储能快速进入存储芯片市场。这是提高市场存在感的第一步。

其次加大DRAM先进制程的开发，19nm，17nm工艺DRAM芯片均实现量产。

长鑫存储一直在加大DRAM工艺的开发进程，2020年实现了19nm DRAM工艺存储芯片的量产，到了2021年成功进入到17nm工艺环节。产能也在大幅提升。目前长鑫存储主要的19nm，17nm工艺DRAM芯片都进入到了量产阶段。

国产存储芯片如何发展？

长鑫存储还在持续发展，由于成立时间有限，难免需要通过与国际公司的合作，扩宽国际市场的道路。但在之后长鑫存储已经可以自建生产线了，为国产DRAM芯片的进步打下更深厚的基础。

但国产存储芯片不能只靠长鑫存储，放眼全球市场环境，国产存储芯片该如何发展呢？

其实不只是长鑫存储，长江存储，紫光展锐等巨头也在部署DRAM市场。中国IT产能也在迎来进步，面对国产的市场规则，国家不会坐视不管，正投入大量资源到国产芯片产业中。

存储芯片作为重要组成部分，也将迎来产业的崛起。有众多存储巨头的参与和国家的政策扶持，一定能持续发展下去，彻底撕开国外技术壁垒。

总结

中国市场不会一直由美韩巨头垄断，自己的市场应该由自己把控。长鑫存储迈出了第一步，往后还会有第二步，第三步，直到从美韩巨头手中夺得市场优势地位。期待这一天能早日到来。

对长鑫存储你有什么看法呢？

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