【12月14日讯】相信大家都知道，只要一提及光刻机，很多网友们第一时间想到便是荷兰ASML公司，毕竟荷兰ASML公司不仅是全球最大的光刻机巨头，同时也是全球唯一掌握了先进EUV制程工艺光刻机设备，其他光刻机企业都不行，尤其是在最近几年时间里，中兴、华为事件相继爆发以后，也让国内科技公司、芯片公司开始更加关注芯片、光刻机、集成电路等领域的技术部署，当然最让人激动人心，或许还是中科院宣布布局光刻机技术研发以及中科院某研究员发布了一篇突破5nm光刻技术的文章，引起了广大网友们的一片哗然，甚至还有很多媒体直接误解，我国已经具备了5nm高端光刻机的制造水平。
但很快中科院的研究员再次出来辟谣：“这项5nm光刻技术的突破是用在制作光掩模，并不是光刻机中的5nm光刻技术；” 从全球光刻机制程工艺技术，共分为180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm等技术水平，目前我国光刻机技术究竟处于什么样的水准呢？
根据相关媒体的报道来看，目前国内已经实现量产的最顶尖光刻机是由上海微电子生产制造，可以达到90nm工艺水准，同时上海微电子即将交付一台全新的28nm浸没式光刻机，虽然我国光刻机水平已经取得了一定技术突破，但距离全球顶尖的水准依旧还有很大的技术差距。
更有消息爆料，在1956年，我国第一只晶体三极管诞生，成功跻身于发达国家行列水准，让中国也进入半导体新纪元，同时我国最早在1977年就开始研究国产光刻机设备，并且当时还制造出了我国最早的光刻机-GK-3型半自动光刻机诞生，这是一台接触式光刻机（就目前所能得到的资料而言）：
要知道日本的尼康和佳能两大光刻机巨头，最早也在1960年代开始进军光刻机领域，而目前的光刻机巨头ASML，在1977年还没有出现。
在基于“光刻机-GK-3型半自动光刻机”基础上，我国在1978年再次改进研发了GK-4型号的光刻机设备，直接将加工圆片直径从50毫米提高到75毫米，在1981年，中国科学院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机，并在1981年研制成功两台样机，但由于我国没有顶层的芯片能产业链设计，即便当时中国的集成电路在科研上可以达到世界顶尖水准，但最终这些世界顶尖水准的光刻机设备，因为限制而成为了废铁，后续也没有传来关于国产光刻机更多的消息；
但如今我国再次布局光刻机技术研发，相信我们很快就可以将所有落下的功课补足，直到我们的国产光刻机可以达到世界顶尖水准。
最后：对于我国首台光刻机设备，在达到了世界顶尖水准的情况下，却因为国内芯片产业链不够成熟，而被搁置成为了“废铁”，各位小伙伴们，你们对此都有什么样的看法和意见呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！
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