一辆行驶里程约9万km、搭载1.5L VCT发动机的2016款上汽荣威E550混动版轿车。车主反映：该车无法正常行驶，启动上电后挂前进挡，高压系统紧急下电，且仪表提示混动系统故障。
故障诊断：技师带着诊断仪上门抢修，到达现场后与车主沟通了一下基本情况，然后上车尝试启动车辆，仪表“READY”灯点亮，高压电上电正常。当换挡杆选到前进挡时，瞬间仪表“READY”指示灯熄灭，同时显示高压系统故障，混动故障灯点亮，车辆无法行驶。连接诊断仪读取各系统故障码，在混动控制模块（HCU）和驱动电机模块（EDU）内读到许多故障记录（图1），其中PlCA300IGB丁驱动芯片电源故障与P1C8D00硬线检测母线过压这两个故障意味着电力电子箱（PEB）中的IGBT驱动芯片可能已经击穿。
看来在现场无法解决问题，只好将故障车拖回站内。技师先按照新能源汽车维修的要求对高压电池包进行断电操作，在确认安全的前提下开始拆卸电力电子箱（PEB），电力电子箱（PEB）由逆变器和变压器两个主要模块组成，以实现低压电池充电和电机驱动的功能。IGBT驱动芯片就在电力电子箱（PEB）内。
为了确认IGBT驱动芯片是否击穿，需要检测其阻抗。在电力电子箱（PEB）上有来自高压电池包（ESS）的T+与T-直流电接口，还有控制驱动电机（EDU）内的TM电机和ISG电机的三相交流电接口UVW（图2）。
将数字万用表选到测量二极管的档位，然后分别测量T+与T-对TM电机的UVW三相与ISG电机的UVW三相的阻抗，当测量T+至V相的阻抗数据时，发现数据为0.7V（图3）， T-至V相的数据也为0.7V（图4），两边数据相同。正常T+至V相为0.36V，T-至V相为1.16V（图5），说明IGBT内部被击穿。
由于IGBT驱动芯片无法单独更换，更换电力电子箱（PEB）后，该车故障被彻底排除。
维修小结：在新能源汽车中，已经广泛使用IGBT驱动芯片来控制驱动电机工作，作为电控系统的核心部件，维修技术人员应熟练掌握其测量方式与判断依据，以提高诊断的效率和准确性。
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