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摘要：在3D闪存领域，三星已经连续推出两代立体堆叠闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品。万万没想到的是，全球第一个48层堆叠、单Die容量256Gb的首发被东芝抢了去。不过三星也不是吃素的，今天宣布正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。没错，这是第三代了。
从直观层面来讲，三星比东芝“良心”（忽视售价）表现在MLC颗粒以及量产能力上，毕竟东芝的说法是，我们已经准备好量产了，而三星在继续使用现有设备的情况下，三代的生产效率还提升了40%！
与容量为128Gb的传统NAND相比，三星此次量产的新一代256Gb 3D V-NAND闪存芯片密度实现翻倍增长。除了在单芯片上支持存储容量高达32GB（256Gb）之外，新的芯片还能轻松地翻倍提升现有SSD的存储容量，轻松TB级别，这可是三星的优势。
据悉，在新一代V-NAND闪存中，每个单元都采用相同的3D Charge Trap Flash（简称CTF）结构设计，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠48层，利用其特殊的蚀刻技术，通过18亿个通道孔在阵列上实现电子互连。每个芯片共包含853亿个单元。单个存储单元容量为3bit，一共能存储2,560亿位的数据，换句话说，就是一个不超过手指尖大小的芯片能存储256Gb数据。
与32层3bit MLC 128Gb V-NAND闪存相比，当存储相同容量的数据时，一个48层3bit MLC 256Gb 3D V-NAND闪存功耗能减少30% 。
当然，消费级我们是见不到了，这都是企业、数据中心用的。
本文来源：cnbeta网站
责任编辑：
王晓易_NE0011
