曝高通骁龙 8 Gen 4 支持 LPDDR6，实际表现令人关注

最近的爆料中多次提到高通将在接下来推出全新的芯片产品，且多款搭载了这些芯片的设备也将陆续上市。

近日，高通也正式宣布，骁龙旗舰新品发布会将在3月18日举行，宣传语为“智在芯中，有龙则灵”。

不过与此同时，关于更下一代的高通骁龙8系列旗舰芯也陆续出现了多份相关的爆料。

来自IT之家的一份最新报告中提到，高通骁龙 8 Gen 4 将成为业内首款支持 LPDDR6 内存的旗舰芯片，而苹果今年推出的 A18 Pro 芯片会采用 LPDDR5T 规格。

另外，IT之家此前的一份爆料中曾提到，高通骁龙 8 Gen 4 芯片将采用Phoenix核心，更下一代的高通骁龙8 Gen 5 则有望采用Pegasus核心，均采用“2+6”的集群设计方案以及 Slice GPU 架构。

同时，这份消息中还提到，骁龙 8 Gen 5 将采用三星的 2nm 工艺，台积电的“N3E”工艺将保持不变，且高通已委托三星和台积电开发 2nm 应用芯片原型。

不过，目前距离骁龙 8 Gen 5 的发布还有着相当长的一段时间，实际的产品情况如何目前还不能确认，感兴趣的用户可以保持关注。但与此同时，关于将在今年亮相的骁龙8 Gen 4目前已经出现了不少爆料。

博主@数码闲聊站 此前的一份爆料中提到：“两家新旗舰芯规格性能摸了一下，今年这代安卓旗舰芯确实把多核干到了1W，CPU和GPU双杀果子”。

按照爆料中的说法，新一代的高通骁龙8系列旗舰芯Geekbench多核跑分超过了1万分，CPU和GPU表现均好于苹果的A系列芯片。

当然，鉴于暂时还没有确切的官方消息出现，爆料中提到的信息大家参考即可。

至于其他规格方面，来自同一位博主的消息显示：“SM8750-骁龙8G4代号SUN，台积电3nm，CPU 2*Phoenix L+6*Phoenix M，现阶段CPU自研架构的设计性能提升很大”。

按照爆料中的说法，全新的骁龙 8 Gen 4 芯片代号“SUN”，将基于台积电 3nm 工艺打造，CPU 采用 2*Phoenix L+6*Phoenix M 架构，现阶段 CPU 自研架构的设计性能提升很大。

参考来看，，第三代骁龙8采用1+5+2架构，基于4nm工艺，超大核最高频率可达3.3GHz，还有骁龙X75基带和Wifi 7。性能比前代产品提高了30%，能效提高了20%，GPU性能提升25%，能效提升25%，首次在硬件光线追踪基础上加入了对全局光照的支持，支持虚幻5引擎和240 FPS 游戏。

此外，关于即将到来的高通新品活动中可能会亮相的产品。目前的爆料中显示，高通有望将在此次发布会带来SM8635与SM7675两颗芯片。

其中，SM8635芯片的暂命名为骁龙8S Gen3，基于台积电4nm工艺制造，CPU架构由1颗主频3.01GHz的Cortex-X4超大核与4颗主频2.61GHz的Cortex-A720大核以及3颗主频1.84GHz的Cortex-A520小核组合而成，GPU则是Adreno 735，安兔兔跑分成绩在170万左右。

SM7675芯片的暂命名为骁龙7+Gen3，性能表现也均有所提升，并将由一加Ace 3V首发。