北京
（原标题：拓荆科技SEMICON China 2026新品发布会圆满落幕 持续产品多维度创新迭代）
2026年3月25日，SEMICON China 2026展会首日，国内半导体设备龙头企业拓荆科技（股票代码：688072），在上海新国际博览中心E7馆7301展位隆重举办“拓芯章·见未来”2026新品发布会。
发布会伊始，拓荆科技副总经理、产品事业部总经理宁建平女士登台致辞，她表示，拓荆科技专注于集成电路量产型 PECVD 、 ALD 、Gap-fill 及3D IC 相关研发，其产品已进入全国30个城市的100条芯片生产线。拓荆始终秉承着“生产一代、在研一代、预研一代”的产品策略，持续高研发投入及产品升级。2026年，拓荆将重点专注先进制程设备及工艺研发，满足客户特殊应用的需求，为客户提供适配的技术解决方案。
作为本次发布会的核心环节，拓荆科技各事业部总经理依次登台，详细解读了四大系列新品的技术亮点、核心优势及应用场景，让现场嘉宾全方位了解新品的产业价值。
ALD系列新品由拓荆科技ALD事业部总经理刘武平先生讲解，经过迭代升级，本次发布了两款原子层沉积新品 VS-300T Astra-s SiN 和 PF-300T Altair TiN ,性能先进，同时满足高产能需求并具有优异的坪效比和 CoO 。
PECVD 事业部总经理于棚先生向现场观众介绍了 PECVD 系列新品，他表示，经过10余年的深耕，拓荆科技的 PECVD 设备装机量及工艺覆盖率均达到国内第一，实现 PECVD 工艺全覆盖。2026年，拓荆带来了 PF-300L Plus nX ,应用领域包括先进逻辑后道层低介电薄膜，并兼容逻辑≤28nm后道层间低介电薄膜，实现介质薄膜的“低”介电常数和“高”机械强度。
Gap-fill 系列产品由事业部总经理杨家岭先生讲解，本次发布的 NF-300M Supra-H ACHM-VI ，是一款在先进存储与先进逻辑制程中应用于图形传递修饰，刻蚀阻挡层及图形平坦化处理的设备，并拥有业界坪效比最高和成本（CoO）最低的优异表现。
3D IC 系列新品涵盖熔融键合、激光剥离等多款新产品，重点聚焦先进逻辑芯片 Chiplet 异构集成、三维堆叠及 HBM 相关应用。Pleione 300 HS 芯片对晶圆熔融键合设备兼容多种芯片尺寸和厚度，能实现自动更换拾取与键合模组，产能高于现有产品的50%。Lyra 300 eX 新一代晶圆激光剥离设备，应用于先进逻辑（BSPDN）和先进存储（VCT）背面工艺，是无金属污染、低应力、无热影响的设备与工艺的完整解决方案。值得注意的是，此次发布会拓荆还发布了一款全球首创的 Volans 300键合空洞修复设备，解决键合界面空洞修复难题，提高3D IC 产品良率和产线稳定，充分体现了公司的技术引领能力。
此次“拓芯章·见未来”2026新品发布会的圆满落幕，不仅是拓荆科技自主研发成果的一次集中展示，更是公司践行企业使命、聚焦国家重大技术创新需求的生动体现，现场嘉宾纷纷表示期待未来与拓荆科技深化合作，共同推动半导体产业发展。
本文来源：大京新闻网
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