国产存储龙头长鑫科技冲刺上市：累计营收736亿，市占率稳居中国第一

12月30日,国产DRAM领军企业长鑫科技正式递交科创板上市申请,拟募集资金295亿元。在当前人工智能浪潮驱动全球存储需求爆发之际,此次IPO标志着国产存储核心力量迈向资本市场新阶段,意图借助资本杠杆,加速在竞争激烈的全球DRAM市场中争夺更大话语权。

业绩与产能勾勒成长曲线

长鑫科技的成长轨迹,是中国半导体产业奋力突围的缩影。根据权威市场研究机构Omdia的数据,按照产能与出货量计算,长鑫科技已稳居中国DRAM产业榜首。更值得瞩目的是,以2025年第二季度全球DRAM销售额统计,其市场份额已达到3.97%,成功跻身全球前四,打破了长期以来由海外三巨头主导的稳固格局,成为中国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM 研发设计制造一体化企业。

坚实的产能是市场份额扩张的基础。招股书披露,长鑫科技在合肥与北京两地共运营着三座12英寸晶圆厂,产能与产量均实现快速增长,产能利用率更是一路攀升,从期初的85.45%稳步提高至94.63%的高位,这直观反映了其产品市场需求旺盛,生产运营高效。

产能的充分释放直接转化为亮眼的财务表现。招股书显示,2022年、2023年、2024年、2025年1-9月,长鑫科技的营业收入分别达82.87亿元、90.87亿元、241.78亿元及320.84亿元,2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元,其中,2025年上半年毛利达20.07亿元,2022 年至2024 年主营业务收入复合增长率高达72.04%,呈高速增长态势。

技术突围,产品性能比肩国际第一梯队

DRAM被誉为半导体设计制造皇冠上的明珠,技术壁垒极高。长鑫科技能在短短数年间打开局面,其独特的“跳代研发”策略功不可没。长鑫并未完全沿袭国际巨头的技术演进路线,而是选择集中资源攻坚关键节点,从而高效地完成了从第一代到第四代工艺技术平台的量产跨越。

在产品层面,长鑫科技已实现了对两大主流产品系列——DDR(双倍数据速率)和LPDDR(低功耗双倍数据速率)的全面覆盖与迭代。从满足上代需求的DDR4、LPDDR4X,到当前市场主流的DDR5、LPDDR5/5X,长鑫均已具备量产能力。其技术突破的标志性事件包括:2019年推出首款国产8Gb DDR4芯片,实现中国大陆DRAM产业“从零到一”的历史性突破;后续推出的LPDDR5X产品,最高数据传输速率达10667Mbps,性能较前代提升66%;其首款国产DDR5芯片速率高达8000Mbps,最大单颗容量24Gb,并配套了覆盖服务器、PC等全场景的模组产品。

长鑫核心产品及工艺技术已达到国际先进水平,能够有效满足数据中心服务器、高端智能手机、个人电脑、智能汽车等前沿领域的需求。特别是针对AI服务器对高带宽内存的迫切需求,公司已量产的DDR5产品正是布局的重点。市场数据也印证了这一战略的成功,高单价、高毛利的LPDDR5和DDR5产品收入快速提升,推动着公司产品结构持续优化。

以专利矩阵夯实护城河,凭市场蓝海锚定增长极

高强度的研发投入是长鑫科技构建技术护城河的基石。招股书显示,2022至2025上半年,长鑫科技累计研发投入为188.67亿元,占累计营业收入的33.11%。2025年1-6月,长鑫科技研发费用率达23.71%,同期三星电子(11.74%)、美光(10.66%)、SK海力士(7.39%),长鑫科技的研发费用率远高于DRAM企业以及国内半导体企业的平均水平。

这一技术优势获得了顶尖资本的长期青睐与协同加持。长鑫股东阵容汇聚了国家大基金二期、安徽省投、以及阿里、腾讯、小米产投等产业与财务投资人,形成了“国家队”、地方资本与市场资本共振的强大格局,为其长远发展提供了坚实的资源保障。

放眼未来,巨大的市场前景为长鑫科技的崛起提供了广阔舞台。据Omdia预测,全球DRAM市场规模将从2024年的976亿美元跃升至2029年的2045亿美元。在此历史性机遇下,长鑫科技此次IPO计划募资295亿元,旨在千亿级的全球市场中提升竞争力,实现从技术追赶到市场引领的关键跨越。

在人工智能时代,数据存算的速度与规模直接决定智能的高度,DRAM作为核心缓存,其自主可控能力已成为国家数字基础设施安全与韧性的基石。长鑫科技冲刺科创板,其意义远超一次普通的IPO。它标志着中国在DRAM这一战略性强、附加值高的核心芯片领域,已经完成了从“不可用”到“可用”,并正在向“好用”和“全球主流竞争”的阶段迈进。