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此前的资料显示，5nm可能是物理极限，为此，IBM将开发使用终极绝缘体──气隙(air gap)。该种材料有两种型态──氮碳化硅硼(SiBCN)以及氮碳氧化硅(SiOCN)，号称两者都能让芯片性能与良率有所提升。
（原标题：IBM联合三星搞定5nm工艺 提升40%性能）
近日，IBM宣布芯片工艺再次实现突破。IBM与三星、GlobalFoundries组成的联盟成功开发出业界第一个全新硅纳米片(nanosheet)晶体管，实现5nm工艺的道路更近了。而就在2015年7月IBM刚刚完成首款7nm工艺芯片的制作，采用的是7nm FinFET工艺和EUV极紫外光刻技术。
如今，时隔两年不到，IBM联盟在芯片工艺方面再次突破。
IBM
据悉，5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管，目前已经量产的10nm高通顶尖移动平台骁龙835在相似大小中集成的晶体管数量约30亿。
IBM称，同样封装面积中晶体管数量增加有非常多的好处，比如降低成本、提高性能、降低功耗，而非常重要的一点是，5nm芯片工艺下，现有移动设备尤其是智能手机的电池寿命将提升2至3倍。
5nm芯片工艺
另外，此前的资料显示，5nm可能是物理极限，为此，IBM将开发使用终极绝缘体──气隙(air gap)。该种材料有两种型态──氮碳化硅硼(SiBCN)以及氮碳氧化硅(SiOCN)，号称两者都能让芯片性能与良率有所提升。
本文来源：中关村在线
责任编辑：
韩一冰_NT3945
