北京
国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN122742442A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；衬底具有至少一个第一沟槽；第一隔离结构；第一隔离结构具有至少一个第二沟槽；第一隔离结构位于衬底的上表面以及每一第一沟槽的表面；每一第二沟槽用于暴露部分衬底；至少一个电容器结构，每一电容器结构位于对应的第一沟槽内、对应的第二沟槽内以及第一隔离结构的表面；第二隔离结构；第二隔离结构位于至少一个电容器结构的表面；由于电容器结构与衬底直接连接，无需设置接地接触结构，可避免接触结构刻蚀过程中所造成的杂质沉积和极板氧化的缺陷，提升产品的良率和可靠性；且由于电容器结构和衬底直接连接后保持同一电位，可有效降低电容器结构和衬底之间的寄生电容。
天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息132条，此外企业还拥有行政许可9个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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