北京
多家韩国媒体9月7日披露，位于美国得克萨斯州的恩西纳尔燃气联合循环发电项目有望被确定为韩国对美投资的“一号项目”，其规模约为223亿美元，装机容量为6.3吉瓦。去年10月，两国在经历3个月的贸易战“角力”后，曾就2000亿美元现金投资达成协议。韩国产业通商部于7日晚间否认该项目已经最终敲定，该部门8日表示，计划在本月17日前后向国会相关委员会报告首笔对美投资的具体方案。外界将此解读为韩方不愿过早亮明全部底牌，以免在后续谈判中陷入被动。
当地7日，韩国产业通商部和财政经济部在国会非公开党政协商会会议上，通报了恩西纳尔燃气发电项目以及在美国建设8座大型核电站方案的磋商进展。韩国媒体报道称，上述两项内容可能一并写入韩美双方有望于本月18日签署的投资谅解备忘录。其中，恩西纳尔项目按“一号项目”推进，8座核电站的方案则可能采取不注明具体金额的原则性合作形式。依照当前方案，该项目将先建设1.4吉瓦燃气轮机发电设施，在确认需求和商业效益后，再扩建4.9吉瓦联合循环设施，资金随进度分批投入。这一发电设施主要用于满足得克萨斯州半导体工厂和人工智能数据中心快速增长的用电需求。
韩联社报道称，美方已要求韩国提交一批投资项目，其合计金额超出了去年双边贸易协议所约定的3500亿美元上限。目前谈判涉及的项目包括得克萨斯州恩西纳尔燃气发电厂、8座大型核反应堆以及阿拉斯加液化天然气项目，三者合计规模超过上述协议上限。韩国方面正与美方进行最后阶段磋商，希望把实际作出的投资承诺压缩回双方此前商定的额度之内。为此，韩方正在权衡两种应对方式：一是从上述三个项目中仅选取两个纳入投资框架；二是调整各项目的投资金额，使三个项目都能保留在约定额度以内。韩国政府计划于9月17日就谈判最新进展向国会作出说明，谅解备忘录最早可能于9月18日签署。此外，美国方面还提出了三星电子和SK海力士在美建设工厂的要求。
在三星电子和SK海力士所处的存储芯片领域，人工智能基础设施投入的持续升温正带动需求进一步攀升。韩国券商KB证券7日发布的最新报告显示，按今年第三季度市场测算，三星电子和SK海力士可供出货的存储芯片库存已降至不足10天的供货量。该机构警告，明年存储芯片行业可能将出现史上最严重的供给紧缺。报告预计，明年全球头部云服务商的人工智能相关投资将达到1.3万亿美元，同比增长60%；存储芯片在人工智能基建投资中所占的比重预计从去年的14%升至今年的40%，明年将进一步升至57%。在供给一侧，存储芯片厂商正将大量产能转向新一代高带宽存储芯片HBM4，同等存储容量下，生产HBM4所需消耗的晶圆产能约为传统DRAM的三倍。高端存储芯片HBM4的扩产将挤压普通存储芯片的产能，进一步加大后续市场的供给压力。
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本文源自：市场资讯
作者：闻野
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