北京
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国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“全环绕栅极装置的形成”的专利，公开号CN122720252A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，兹描述水平环绕式栅极元件及制造其的方法。所述hGAA元件包含与替换金属栅极相邻的自对准低ĸ内间隔物。所述方法包括生长无内间隔物的源极/漏极外延材料，并接着在虚设栅极去除及纳米片释放后，形成低ĸ内间隔物材料。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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