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观点网讯：三星电子计划将超过一半的4nm产能投入HBM4基础裸片生产。该信息来自三星电子内外部消息人士，三星官方未予确认。
一位知情人士表示，三星电子的4nm工艺目前已全面投产，截至上个月，三星电子4nm总产能的50%以上都分配给了HBM4芯片，HBM4的基础裸片占总产量的50%到60%，这一比例将在今年下半年保持。
产线安排上，自上月起，50%至60%的4nm代工产能已分配用于生产HBM4基础裸片，在平泽2号、3号园区工厂S5、S6产线量产。该厂区4nm总月产能为3万片晶圆，其中1.5万片用于生产HBM4基础裸片。上述数字出自产业消息源，可能随需求波动调整。
从技术逻辑看，HBM堆叠结构中，底层基础裸片采用逻辑芯片工艺生产，承担与GPU互连等功能。HBM4的基础裸片采用三星4nm（SF4）工艺制造，AI存储需求由此开始占用先进逻辑制程产能。
供应节奏方面，三星电子计划从今年第三季度开始大幅提升HBM4的供应量，自今年年中以来已增加HBM4芯片的晶圆投入，以进行大规模量产。此外，8月有消息称，三星还在考虑将2nm工艺用于HBM基础裸片。
竞争格局层面，三星采取DRAM与基础裸片自研自供的模式。
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