北京
国家知识产权局信息显示，福建晶旭半导体科技有限公司申请一项名为“POI衬底及其制备方法、声学器件”的专利，公开号CN122699548A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种POI衬底及其制备方法、声学器件。其中，POI衬底的制备方法包括：提供衬底；在衬底上生长非晶氧化镓层；在非晶氧化镓层上生长纳米晶氧化镓层；其中，纳米晶氧化镓层为垂直于截面的c轴取向；将纳米晶氧化镓层进行活化处理，得到第一中间品；将压电衬底进行离子注入，在压电衬底的预设位置处形成剥离缺陷层，得到第二中间品A；将第一中间品与第二中间品A键合，得到第三中间品A；采用脉冲激光将第三中间品A进行处理，以使纳米晶氧化镓层转化为ε相氧化镓层；沿剥离缺陷层将压电衬底分裂并部分剥离，形成压电层。实施本发明，可提升POI衬底的导热性能与可靠性。
天眼查资料显示，福建晶旭半导体科技有限公司，成立于2020年，位于龙岩市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4472.28万人民币。通过天眼查大数据分析，福建晶旭半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息27条，此外企业还拥有行政许可18个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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