北京
国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“包括堆叠的接触夹的功率半导体封装、用于制造功率半导体封装的系统和方法”的专利，公开号CN122699663A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，一种功率半导体封装，包括：功率电子衬底，所述功率电子衬底至少包括布置在电绝缘层上的第一导电层；多个功率半导体管芯，所述多个功率半导体管芯布置在第一导电层上且电耦合到第一导电层，使得功率半导体管芯的第一侧面向第一导电层，其中功率半导体管芯形成半桥电路，所述半桥电路包括至少一个低侧管芯和至少一个高侧管芯；第一接触夹，所述第一接触夹将低侧管芯的第一类型的功率电极连接到高侧管芯的第二类型的功率电极，其中高侧管芯的第二类型的功率电极布置在高侧管芯的与第一侧相对的第二侧上，并且其中第一接触夹布置在高侧管芯的第二侧上方；第二接触夹，所述第二接触夹电连接到在高侧管芯的第一侧上的第一类型的功率电极，其中第二接触夹的上部部分垂直布置在第一接触夹上方；以及模制体，所述模制体包封功率半导体管芯。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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