北京
国家知识产权局信息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“具有改进的边缘终端结构的半导体电子器件及制造方法”的专利，公开号CN122662255A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本公开的各实施例涉及具有改进的边缘终端结构的半导体电子器件及制造方法。一种半导体电子器件，具有第一导电类型的半导体本体，该半导体本体具有前表面和沿着第一方向与前表面相距一定距离的后表面，以及侧边缘；有源区，该有源区在使用中容纳电子器件的导电沟道；以及边缘终端结构，该边缘终端结构与有源区并排，沿着横向于第一方向的第二方向位于有源区与侧边缘之间。边缘终端结构具有不同于第一导电类型的第二导电类型的深区域，并且该深区域被布置在半导体本体中，沿着第一方向从前表面延伸至第一深度，并且沿着第二方向彼此相距一定距离；第二导电类型的不连续掺杂部分，被布置在前表面处，沿着第二方向彼此相距一段距离，并且延伸至低于第一深度的第二深度；以及第二导电类型的连续掺杂区域，被布置在前表面处，沿着第二方向位于有源区与多个不连续掺杂部分之间。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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