晶合集成取得半导体结构相关专利，该半导体结构可防金属迁移致电性失效

来源：新浪证券-红岸工作室

8月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构制备方法及半导体结构”的专利，授权公告号CN121985805B，授权公告日为2026年8月25日。申请公布号为CN121985805A，申请号为CN202610435065.1，申请公布日期为2026年8月25日，申请日期为2026年4月3日，发明人王文智，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师杨明莉，分类号H10W20/00、H10W20/42、H10W20/41。

专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构制备方法及半导体结构，涉及集成电路技术领域，包括：提供顶面覆盖有第一叠层的衬底；形成贯穿第一叠层的至少一通孔后，于通孔内形成顶面低于介电叠层顶面的第一导电结构，横向刻蚀并去除部分介电叠层，得到暴露出第一导电结构全部顶面的凹槽；去除第一牺牲层后，形成至少覆盖凹槽侧壁的第二阻挡层；于凹槽内填满第二牺牲层后，形成覆盖第二牺牲层的第二叠层；形成贯穿第二叠层且下窄上宽的T型槽；去除第二牺牲层后，得到目标沟槽；形成覆盖目标沟槽内表面的第三阻挡层后，于目标沟槽内形成目标导电结构。至少能够防止产生因金属原子迁移而导致的电性失效问题。

晶合集成是国内领先的12英寸晶圆代工服务商，专注特色工艺平台布局，具备差异化制程服务优势。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地为安徽省合肥市，办公地覆盖安徽省合肥市与中国香港两地。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务，聚焦先进工艺的研发与落地，可为客户提供多制程节点、多工艺平台的晶圆代工服务，申万行业分类隶属于电子-半导体-集成电路制造，同时覆盖MCU概念、集成电路、汽车芯片三大热门概念板块。

2026年上半年，晶合集成实现营业收入59.57亿元，在所属7家集成电路制造可比企业中位列第4，该数值与行业中位数持平，低于行业平均数93.45亿元，同期行业内中芯国际、华虹宏力分别以386.35亿元、95.74亿元位列营收前两位；公司当期主营业务中集成电路业务贡献收入57.66亿元，占总营收比重96.80%，其余补充类业务收入1.91亿元，占比3.20%。盈利端，公司同期实现净利润2.22亿元，同样在7家可比企业中排名第4，与行业中位数持平，低于行业平均数14.11亿元，行业内中芯国际、赛微电子分别以64.39亿元、26.75亿元位列净利润前两位。

指标类别具体指标晶合集成当期数值行业可比情况营收维度2026年上半年营业收入59.57亿元行业排名4/7，行业中位数59.57亿元，行业平均数93.45亿元，中芯国际、华虹宏力分别以386.35亿元、95.74亿元位列前二营收构成集成电路业务收入及占比57.66亿元，占比96.80%营收构成其他补充业务收入及占比1.91亿元，占比3.20%盈利维度2026年上半年净利润2.22亿元行业排名4/7，行业中位数2.22亿元，行业平均数14.11亿元，中芯国际、赛微电子分别以64.39亿元、26.75亿元位列前二

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1晶体管制备方法、晶体管及电子设备发明专利公布CN202611164387.32026-08-03CN122662269A2026-08-28张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪2半导体测试结构及测试方法发明专利公布CN202611150791.52026-07-31CN122652240A2026-08-28马盟、鲍丙辉、李倩娣3一种Fin FET器件及其制造方法发明专利公布CN202611147204.72026-07-30CN122662243A2026-08-28李猛猛、唐鹏飞、魏巍4一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机发明专利公布CN202611141368.92026-07-30CN122652910A2026-08-28李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉5基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统发明专利公布CN202611132347.02026-07-29CN122637020A2026-08-25刘苑、查乐、田姿璘6半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202611116631.92026-07-27CN122641036A2026-08-25张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺7一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质发明专利公布CN202611115006.22026-07-27CN122637856A2026-08-25田志锋8基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕9半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕10半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡11半导体器件结构及其制备方法发明专利公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙12埋入式栅极结构及制备方法发明专利公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强13离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚14对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016741.82026-07-09CN122535209A2026-08-07毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏15光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙16半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌17半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定18半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛19一种含有间隔交叉空气间隙的半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001373.X2026-07-07CN122514244A2026-08-04崔立加、余义祥、王梦晴、李敏新20图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001464.32026-07-07CN122514061A2026-08-04康绍磊、汪凯伦21对准标记的异常检测方法及提高光刻工艺套准精度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611002015.02026-07-07CN122506782A2026-08-04陈大业、李海峰、黄玉22一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610999508.X2026-07-07CN122514030A2026-08-04武莹莹23面向设计-制造的多智能体协同方法、系统及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610992342.92026-07-06CN122509026A2026-08-04陈健、秦绪威、刘哲儒24晶圆测试路径的规划方法、装置、探针台、设备及介质发明专利公布CN202610986471.72026-07-03CN122497321A2026-07-31王朋、杨锃、李飞25一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华26测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健27一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙28半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋29一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛30一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕31半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正32半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕33一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒34一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强35测试结构、测试方法及测试系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610925895.22026-06-25CN122487862A2026-07-31王朋、杨锃、李飞36曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞37晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲38光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康39半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明40一种半导体结构的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰41一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳42半导体器件及其制备方法、芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃43一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛44一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成45一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙46半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕47半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰48文本识别方法、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞49一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利实质审查的生效、公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿50一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康