扬杰电子取得主关断模块相关专利，集成多器件，优化散热，简化布线

来源：新浪证券-红岸工作室

8月29日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种主关断模块”的专利，授权公告号CN117766502B，授权公告日为2026年8月28日。申请公布号为CN117766502A，申请号为CN202311821017.9，申请公布日期为2026年8月28日，申请日期为2023年12月27日，发明人陈睿韬、袁振东、邓九屹、尹志坚、王毅，专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所（普通合伙），专利代理师葛军，分类号H10W70/40、H10W72/50、H10W40/20、H10W40/25、H02H3/02、H02H3/08、H02H3/05。

专利摘要显示，本发明公开了一种主关断模块，属于半导体器件领域。包括塑封体，所述塑封体内设有框架，所述框架的两侧伸出塑封体两侧边缘；还包括TVS芯片、一对MOS芯片和稳压管芯片，所述框架包括间隔设置的VIN基岛和VOUT基岛以及间隔设置的S极引脚和G极引脚，所述VIN基岛的外侧设有若干VIN引脚，所述VOUT基岛的外侧设有若干VOUT引脚，所述VIN基岛和S极引脚位于同侧，所述S极引脚的外侧设有S极外接引脚；所述VOUT基岛和G极引脚位于同侧，所述G极引脚的外侧设有G极外接引脚。本发明在工作中，将MOS管、TVS管、稳压管集成在一个模块中，MOS管可利用保护器件的空间散热，优化了散热性能，模块实现了保护器件电路连接，避免了外部布线困难。

扬杰科技是国内功率半导体分立器件领域领先企业，专注功率半导体全产业链布局，技术壁垒深厚。公司成立于2006年8月2日，于2014年1月23日在深圳证券交易所上市，注册地与办公地均位于江苏省扬州市。

扬杰科技主营业务集研发、生产、销售于一体，专业布局功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域，申万行业分类隶属于电子-半导体-分立器件，同时覆盖第三代半导体、功率半导体、碳化硅等热门概念板块。

2026年上半年，扬杰科技实现营业收入45.15亿元，在17家同行业可比企业中排名第2，仅次于行业龙头士兰微的72.62亿元，大幅高于14.66亿元的行业平均营收与9.25亿元的行业营收中位数。从主营业务构成来看，半导体器件贡献营收40.25亿元，占总营收比重达89.15%，半导体芯片、半导体硅片分别实现营收2.79亿元、1.1亿元，占比分别为6.17%、2.44%，其余业务营收1.01亿元，占比2.24%。盈利端表现更为突出，当期公司实现净利润7.57亿元，位列17家同行业企业第1，高于第二名源杰科技的6.07亿元，远超1.03亿元的行业净利润平均数与6531.17万元的行业净利润中位数，盈利领跑细分赛道。

指标类别具体指标扬杰科技当期数值行业排名可比头部企业数值行业平均水平行业中位数水平营收维度2026年上半年营业收入45.15亿元2/17士兰微72.62亿元14.66亿元9.25亿元盈利维度2026年上半年净利润7.57亿元1/17源杰科技6.07亿元1.03亿元6531.17万元营收结构半导体器件营收占比89.15%营收结构半导体芯片营收占比6.17%营收结构半导体硅片营收占比2.44%营收结构其他业务营收占比2.24%

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种提升二极管反向恢复特性的SiC MOSFET器件及制备方法发明专利公布CN202610949609.62026-06-29CN122602542A2026-08-18王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅2一种垂直互连双面DBC铜柱整流桥封装结构发明专利公布CN202610769096.02026-05-31CN122458814A2026-07-24李佳欣、姚文康、王双、陈润生、王毅3一种提高短路耐受能力的碳化硅MOS器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610748277.52026-05-28CN122421408A2026-07-17王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅4一种具有ESD保护结构的高压碳化硅MOS器件及制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610748281.12026-05-28CN122458456A2026-07-24王亚男、梁勤、梁瑶、陈润生、王毅5一种低寄生电感功率二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610593818.12026-04-30CN122340830A2026-07-03熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅6一种低应力高导热光伏旁路导电组件、二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610585288.62026-04-29CN122396337A2026-07-14柏广绪、司天平、景昌忠、陈润生、王毅7一种高功率密度三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610535598.72026-04-22CN122395972A2026-07-14代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅8一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610412210.42026-03-31CN122138725A2026-06-02熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅9一种高功率密度TVS二极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610415630.82026-03-31CN122269779A2026-06-23熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅10一种Power DFN框架、封装体及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610286131.32026-03-10CN121985840A2026-05-05熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅11封装体（Power DFN）外观专利授权CN202630104849.72026-03-10CN310125756S2026-07-31熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅12一种三相半控整流桥复合封装及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511981365.12025-12-25CN121604824A2026-03-03张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅13一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511950595.12025-12-23CN121729076A2026-03-24熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅14一种光伏旁路二极管模块加工工艺发明专利公布CN202511930765.X2025-12-19CN121693132A2026-03-17司天平、景昌忠、陈润生、王毅15一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511911493.92025-12-17CN121699615A2026-03-20李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅16一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法发明专利公布CN202511407480.82025-09-29CN120980899A2025-11-18龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅17一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407472.32025-09-29CN121152230A2025-12-16龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅18一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511407464.92025-09-29CN121240474A2025-12-30龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅19一种平脚冲压框架及整流二极管实用新型授权CN202521849114.32025-08-29CN224611281U2026-08-07吕强、陈润生、王毅20一种高功率密度三极管及制备方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布CN202511209188.52025-08-27CN120857527A2025-10-28代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅21一种高集电极电流三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207926.22025-08-27CN120916450A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅22一种高EAS能力的三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511208008.12025-08-27CN120916452A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅23一种高频和高增益三极管及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207991.52025-08-27CN120916451A2025-11-07代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅24一种高电流密度三极管及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511207877.22025-08-27CN121057236A2025-12-02代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅25一种提高工作频率和增益系数的三极管实用新型授权CN202521832202.22025-08-27CN224538634U2026-07-21代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅26一种小型短引脚整流桥实用新型授权CN202521835452.12025-08-27CN224556281U2026-07-24聂磊、王双、姚文康、陈润生、王毅27一种降低饱和电压三极管实用新型授权CN202521833868.X2025-08-27CN224653864U2026-08-18代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅28一种便捷式旁路保护器件的加工方法发明专利公布CN202511154480.12025-08-18CN121017690A2025-11-28李广源、梁欣源、陈润生、王毅29光伏旁路器件实用新型授权CN202521754537.72025-08-18CN224459747U2026-07-03李广源、梁欣源、陈润生、王毅30一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511145062.62025-08-15CN121011539A2025-11-25徐超、司天平、陈润生、王毅31二极管擦字装置实用新型授权CN202521740722.02025-08-15CN224296845U2026-05-29徐超、司天平、陈润生、王毅32二极管上料装置实用新型授权CN202521740725.42025-08-15CN224449345U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅33二极管收料装置实用新型授权CN202521740719.92025-08-15CN224449543U2026-07-03徐超、司天平、陈润生、王毅34一种SIC基半导体器件封装结构实用新型授权CN202521620095.72025-07-31CN224556273U2026-07-24熊鹏程、徐雅超、王毅、王正35一种新型二极管金属线键合塑封一体机发明专利实质审查的生效、公布CN202510879767.42025-06-27CN120690730A2025-09-23耿印、王毅36一种半导体塑封模具异物检测机构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510842518.82025-06-23CN120645350A2025-09-16刁卫斌、王毅37一种二极管外观检测装置及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510826492.82025-06-19CN120539278A2025-08-26耿印、王毅38一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构发明专利实质审查的生效、公布CN202510793665.02025-06-13CN120637356A2025-09-12代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅39一种抑制塑封分层的全包封框架及封装实用新型授权CN202521215415.02025-06-13CN224460572U2026-07-03代书雨、王玉林、张敏、王毅40提升绝缘耐压能力的整流桥堆实用新型授权CN202521114013.12025-05-30CN224205650U2026-05-05邱力宸、王毅41多引脚散热桥堆实用新型授权CN202521104107.02025-05-30CN224205649U2026-05-05姚文康、王双、吕强、王毅42一种高效组装散热型整流桥实用新型授权CN202521104109.X2025-05-30CN224482060U2026-07-10王双、王毅43一种改进半导体器件饱和压降的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510613311.32025-05-13CN120417408A2025-08-01龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅44单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510148616.12025-02-11CN119704417A2025-03-28王鑫、王毅45一种FRED半导体器件及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510126905.12025-01-27CN119947137A2025-05-06崔龙、王毅46一种横向IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996035.52024-12-31CN119730275A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅47一种横向平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996030.22024-12-31CN119730274A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅48一种横向RC-IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996027.02024-12-31CN119730273A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅49一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996043.X2024-12-31CN119730277A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅50一种自带续流能力的IGBT及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411996042.52024-12-31CN119730276A2025-03-28代书雨、王玉林、张敏、王毅