北京
国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“一种低工作电流密度MicroLED外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN122662356A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种低工作电流密度MicroLED外延结构及其制备方法，其MicroLED外延结构中的多量子阱发光层的第一非发光区多量子阱层和第四非发光区多量子阱层，分别具有阱前应力调控垒层和阱后应力调控垒层；所述阱前应力调控垒层包括沿外延方向依次层叠的阱前低温垒层、阱前中温垒层、阱前高温垒层；所述阱后应力调控垒层包括沿外延方向依次层叠的阱后低温垒层、阱后中温垒层、阱后高温垒层；所述阱前中温垒层和阱后中温垒层均为多孔GaN层，且不进行故意掺杂。本发明所制得的MicroLED外延结构，能够降低外延层材料所受的应力和缺陷密度，提高多量子阱层的质量，该结构在较低的工作电流密度下，具有良好的发光效率。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1730条，此外企业还拥有行政许可62个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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