四川
8月27日，半导体设备ETF与通信同步上行，收涨3.63%。
如果说通信板块的核心逻辑是海外AI算力资本开支，那么半导体设备当前更值得关注的变量，则是全球存储扩产周期正在加速。AI服务器对HBM和高端DRAM的需求快速增长，同时数据中心对企业级SSD和NAND的需求也在提升。在供给扩张相对克制的背景下，存储价格持续上涨、厂商盈利能力显著修复，产业链正在从“涨价和盈利改善”逐渐走向“资本开支和产能扩张”。对于半导体设备而言，真正决定中期订单的正是后者。
2026年一季度全球存储销售额同比增长238%，明显高于其他半导体品类；存储销售额占整个半导体行业的比重升至46%。其中价格是这一轮增长的重要驱动力，2026年一季度存储ASP同比上涨165%，而出货量同比增长27%。在价格和盈利改善之后，存储厂商扩产意愿开始明显增强。
存储扩产之所以对设备板块尤其重要，是因为存储制造本身就是设备投入强度非常高的环节，而且随着存储从平面结构走向3D堆叠，单位产能所需要的设备数量和工艺复杂度仍在提升。以3D NAND为例，当前主流产品已经达到300层以上，产业正在继续向更高层数演进。3D NAND每增加一层，至少会增加多次薄膜沉积和刻蚀过程，同时层数越高，对薄膜均匀性、高深宽比刻蚀以及等离子体控制精度的要求越高。因此，存储扩产并不是简单的“多建几座厂”，还伴随着单位晶圆设备价值量的持续提升。
这意味着，本轮存储资本开支上行中，刻蚀和薄膜沉积可能是弹性较大的核心环节。刻蚀设备需要完成高深宽比深孔结构，层数越高，工艺难度越大；薄膜沉积则需要在复杂三维结构中实现高度均匀、极薄的材料沉积。除此之外，清洗、CMP、量检测等设备也会随着晶圆厂产能建设同步增加需求。从全球设备市场来看，Bernstein测算，全球WFE市场规模在2026—2028年有望由1540亿美元增长至2590亿美元，2025—2028年复合增速约29%，存储和先进逻辑是其中的重要增长来源。
对于国内半导体设备而言，除了全球行业扩张之外，还有第二层逻辑——国产化。当前国内设备厂商在刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP等多个环节已经实现不同程度突破，但整体国产化率仍有较大提升空间。伴随国产化率不断提升，本土设备供应商市场空间在2025-2028年的CAGR有望达+66%。增速相对全球平均水平高出一倍。
半导体设备ETF（159516）所跟踪方向覆盖半导体设备与材料产业链，可以较为集中地承接晶圆厂资本开支回升以及国产化率提升带来的产业机会。短期看，存储价格上涨和盈利改善为扩产提供基础；中期看，DRAM、NAND资本开支上行将逐步转化为设备订单；长期看，3D化、先进制程以及自主可控仍有望推动国内设备企业扩大市场空间。感兴趣的投资者可关注半导体设备ETF（159516）。
风险提示：
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