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据航美报道，韩国国存储器企业正加大对中国NAND闪存生产基地的投资。三星电子已敲定今明两年在国内投资建设最先进的NAND闪存转换工厂的计划。SK海力士也计划从今年下半年到明年，确保每月3万片晶圆的产能。
据业内人士24日透露，三星电子和SK海力士计划明年在中国积极推进NAND闪存大规模生产线的设施投资。
自今年上半年以来，三星电子一直在其位于中国西安的X2生产线上进行V9 NAND闪存的改造投资。三星电子的V9 NAND闪存是一款采用280个堆叠单元的先进产品，预计每月产能可达4万至5万片晶圆。
据报道，三星电子正在敲定追加投资计划，以加强其晶圆厂的V9 NAND闪存产能。该计划的核心是引进额外的蚀刻工艺设备，而蚀刻工艺是NAND闪存制造的关键环节。
蚀刻是指从用于蚀刻半导体电路的晶圆上去除特定材料的过程。对于需要堆叠数百层单元（数据存储的最小单元）的NAND闪存而言，蚀刻技术至关重要，因为必须钻出很深的电子通道孔。
因此，三星电子决定从明年下半年开始追加投资，以确保V9 NAND闪存的稳定量产。相关设备的采购订单预计也将在今年年底左右落实。
一位半导体行业人士表示：“三星电子计划在今年和明年分阶段投资，扩大其在中国的尖端NAND闪存产能。这是为了应对人工智能（AI）服务器等高科技NAND闪存需求的激增。”
SK海力士自今年第三季度以来一直在对其大连二厂的NAND产品进行设施投资升级。据报道，目前正在讨论的投资规模约为每月3万片晶圆。
大连工厂是SK海力士在2020年下半年收购英特尔NAND业务部门时获得的。随后，SK海力士 于2022年举行了大连二厂的奠基仪式，旨在扩大其NAND产能，但由于市场状况及其他原因，已暂停该设施的投资。
另一位业内人士表示：“SK海力士计划在明年上半年之前，在其大连二厂投资建设月产能3万片晶圆的NAND闪存生产线。”他还补充道：“蚀刻设备等关键制造设备也将从下个月开始正式引进。”
（来源：编译自zdnet ）
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